Nieuws

Als in de wereld van halfgeleiders met een brede bandafstand (WBG) het geavanceerde productieproces de 'ziel' is, is de grafietkroes de 'ruggengraat' en is de oppervlaktecoating de kritische 'huid'.

In de wereld van de vermogenselektronica waar veel op het spel staat, zijn siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN) de speerpunten van een revolutie: van elektrische voertuigen (EV's) naar infrastructuur voor hernieuwbare energie. De legendarische hardheid en chemische inertie van deze materialen vormen echter een formidabel knelpunt bij de productie.

Bij de productie van halfgeleiders is het chemisch-mechanische planarisatieproces (CMP) de kernfase voor het bereiken van planarisatie van het waferoppervlak, waarbij het succes of falen van daaropvolgende lithografiestappen direct wordt bepaald. Als het kritische verbruiksartikel in CMP zijn de prestaties van de polijstslurry de ultieme factor bij het beheersen van de verwijderingssnelheid (RR), het minimaliseren van defecten en het verbeteren van de algehele opbrengst.

In de wereld van de productie van halfgeleiders, waar precisie en extreme omgevingen naast elkaar bestaan, zijn focusringen van siliciumcarbide (SiC) onmisbaar. Deze componenten staan ​​bekend om hun uitzonderlijke thermische weerstand, chemische stabiliteit en mechanische sterkte en zijn van cruciaal belang voor geavanceerde plasma-etsprocessen. Het geheim achter hun hoge prestaties ligt in de Solid CVD-technologie (Chemical Vapour Deposition). Vandaag nemen we je mee achter de schermen om het rigoureuze productieproces te verkennen: van een ruw grafietsubstraat tot een zeer nauwkeurige 'onzichtbare held' van de fabriek.

Hoogzuivere kwartsmaterialen spelen een cruciale rol in de halfgeleiderindustrie. Hun superieure weerstand tegen hoge temperaturen, corrosieweerstand, thermische stabiliteit en lichttransmissie-eigenschappen maken ze tot kritische verbruiksartikelen. Kwartsproducten worden gebruikt voor componenten in zowel hoge- als lagetemperatuurzones van de waferproductie, waardoor de stabiliteit en netheid van het productieproces worden gegarandeerd.

Met de mondiale energietransitie, de AI-revolutie en de golf van informatietechnologieën van de nieuwe generatie is siliciumcarbide (SiC) snel geëvolueerd van een ‘potentieel materiaal’ naar een ‘strategisch basismateriaal’ vanwege zijn uitzonderlijke fysieke eigenschappen.