Hoge zuiverheid sic poeder

1. Hoge zuiverheid: SIC -gehalte is 99,9999%, het onzuiverheidsgehalte is zeer laag, wat de nadelige impact op de prestaties van halfgeleider- en fotovoltaïsche apparaten vermindert en de consistentie en betrouwbaarheid van producten verbetert.

2. Uitstekende fysieke eigenschappen: inclusief hoge hardheid, hoge sterkte en hoge slijtvastheid, zodat het een goede structurele stabiliteit kan behouden tijdens de verwerking en het gebruik.

3. Hoge thermische geleidbaarheid: kan snel warmte uitvoeren, helpen om de warmtedissipatie -efficiëntie van het apparaat te verbeteren, de bedrijfstemperatuur te verlagen, waardoor de levensduur van het apparaat wordt verlengd.

4. Lage expansiecoëfficiënt: de grootteverandering is klein wanneer de temperatuur verandert, waardoor het materiaalbraak of de prestatiedaling wordt veroorzaakt veroorzaakt door thermische expansie en samentrekking.

5. Goede chemische stabiliteit: zuur- en alkali -corrosieweerstand kan stabiel blijven in complexe chemische omgeving.

6. Karakteristieken met brede bandafstand: met hoge afbraaksterkte en elektronenverzadigingssnelheid, geschikt voor de productie van hoge temperatuur, hoge druk, hoge frequentie en high -power halfgeleiderapparaten.

7. Hoge elektronenmobiliteit: het is bevorderlijk voor het verbeteren van de werksnelheid en efficiëntie van halfgeleiderapparaten.

8. Milieubescherming: relatief kleine vervuiling voor het milieu tijdens het productieproces en het gebruik.

Halfgeleiderindustrie:

- Substraatmateriaal: SIC-poeder met hoge zuiverheid kan worden gebruikt om siliciumcarbidesubstraat te produceren, dat kan worden gebruikt om hoogfrequente, hoge temperatuur, hogedrukvermogensapparaten en RF-apparaten te produceren.

Epitaxiale groei: in het productieproces van halfgeleiders kan siliciumcarbidepoeder met hoge zuiverheid worden gebruikt als een grondstof voor epitaxiale groei, die wordt gebruikt om hoogwaardige siliciumcarbide epitaxiale lagen op het substraat te groeien.

-Packaging Materialen: High-zuiver siliciumcarbidepoeder kan worden gebruikt om halfgeleiderverpakkingsmaterialen te produceren om de warmtedissipatieprestaties en betrouwbaarheid van het pakket te verbeteren.

Fotovoltaïsche industrie:

Kristallijne siliciumcellen: in het productieproces van kristallijne siliciumcellen kan siliciumcarbidepoeder met hoge zuiverheid worden gebruikt als een diffusiebron voor de vorming van P-N-juncties.

- Dunne filmbatterij: in het productieproces van dunne filmbatterij kan siliciumcarbidepoeder met veel zuiverheid worden gebruikt als een doelwit voor sputterende afzetting van siliciumcarbidefilm.