Nieuws

Industrie nieuws

De evolutie van CVD-SiC van dunne filmcoatings naar bulkmaterialen10 2026-04

De evolutie van CVD-SiC van dunne filmcoatings naar bulkmaterialen

Hoogzuivere materialen zijn essentieel voor de productie van halfgeleiders. Bij deze processen zijn extreme hitte en corrosieve chemicaliën betrokken. CVD-SiC (Chemical Vapour Deposition Silicon Carbide) zorgt voor de nodige stabiliteit en sterkte. Het is nu een primaire keuze voor geavanceerde apparatuuronderdelen vanwege de hoge zuiverheid en dichtheid.
Het onzichtbare knelpunt in de SiC-groei: waarom 7N Bulk CVD SiC-grondstof traditioneel poeder vervangt07 2026-04

Het onzichtbare knelpunt in de SiC-groei: waarom 7N Bulk CVD SiC-grondstof traditioneel poeder vervangt

In de wereld van halfgeleiders van siliciumcarbide (SiC) gaat de meeste aandacht uit naar 8-inch epitaxiale reactoren of de fijne kneepjes van het polijsten van wafels. Als we de toeleveringsketen echter terugvoeren tot het allereerste begin – in de Physical Vapor Transport (PVT) oven – vindt er stilletjes een fundamentele ‘materiaalrevolutie’ plaats.
PZT-piëzo-elektrische wafers: hoogwaardige oplossingen voor MEMS van de volgende generatie20 2026-03

PZT-piëzo-elektrische wafers: hoogwaardige oplossingen voor MEMS van de volgende generatie

In het tijdperk van snelle MEMS-evolutie (Micro-Elektromechanische Systemen) is het selecteren van het juiste piëzo-elektrische materiaal een beslissende keuze voor de prestaties van apparaten. PZT (Lead Zirconate Titanate) dunnefilmwafels zijn de eerste keuze geworden boven alternatieven zoals AlN (aluminiumnitride), die superieure elektromechanische koppeling bieden voor geavanceerde sensoren en actuatoren.
Zeer zuivere susceptors: de sleutel tot een op maat gemaakte Semicon Wafer-opbrengst in 202614 2026-03

Zeer zuivere susceptors: de sleutel tot een op maat gemaakte Semicon Wafer-opbrengst in 2026

Terwijl de productie van halfgeleiders zich blijft ontwikkelen in de richting van geavanceerde procesknooppunten, hogere integratie en complexe architecturen, ondergaan de beslissende factoren voor de wafelopbrengst een subtiele verschuiving. Voor de productie van halfgeleiderwafels op maat ligt het doorbraakpunt voor de opbrengst niet langer uitsluitend in kernprocessen als lithografie of etsen; hoogzuivere susceptoren worden steeds meer de onderliggende variabele die de processtabiliteit en -consistentie beïnvloedt.
SiC versus TaC-coating: het ultieme schild voor grafiet susceptors bij semi-verwerking bij hoge temperaturen05 2026-03

SiC versus TaC-coating: het ultieme schild voor grafiet susceptors bij semi-verwerking bij hoge temperaturen

Als in de wereld van halfgeleiders met een brede bandafstand (WBG) het geavanceerde productieproces de 'ziel' is, is de grafietkroes de 'ruggengraat' en is de oppervlaktecoating de kritische 'huid'.
De cruciale waarde van chemisch-mechanische planarisatie (CMP) bij de productie van halfgeleiders van de derde generatie06 2026-02

De cruciale waarde van chemisch-mechanische planarisatie (CMP) bij de productie van halfgeleiders van de derde generatie

In de wereld van de vermogenselektronica waar veel op het spel staat, zijn siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN) de speerpunten van een revolutie: van elektrische voertuigen (EV's) naar infrastructuur voor hernieuwbare energie. De legendarische hardheid en chemische inertie van deze materialen vormen echter een formidabel knelpunt bij de productie.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies. Privacybeleid
Afwijzen Accepteren