Nieuws

Industrie nieuws

Hoe zorgt een tantaalcarbide(TaC)-coating voor langdurig gebruik onder extreme thermische fietsen?22 2025-12

Hoe zorgt een tantaalcarbide(TaC)-coating voor langdurig gebruik onder extreme thermische fietsen?

​De groei van siliciumcarbide (SiC) PVT brengt ernstige thermische cycli met zich mee (kamertemperatuur boven 2200 ℃). De enorme thermische spanning die wordt gegenereerd tussen de coating en het grafietsubstraat als gevolg van de discrepantie in de thermische uitzettingscoëfficiënten (CTE) is de kernuitdaging die de levensduur van de coating en de betrouwbaarheid van de toepassing bepaalt.
Hoe stabiliseren tantaalcarbidecoatings het thermische veld van PVT?17 2025-12

Hoe stabiliseren tantaalcarbidecoatings het thermische veld van PVT?

Bij het siliciumcarbide (SiC) PVT-kristalgroeiproces bepalen de stabiliteit en uniformiteit van het thermische veld rechtstreeks de kristalgroeisnelheid, defectdichtheid en materiaaluniformiteit. Als systeemgrens vertonen thermische veldcomponenten thermofysische oppervlakte-eigenschappen waarvan de kleine fluctuaties dramatisch worden versterkt onder omstandigheden van hoge temperaturen, wat uiteindelijk leidt tot instabiliteit op het groeigrensvlak.
Waarom siliciumcarbide (SiC) PVT-kristalgroei niet kan zonder tantaalcarbidecoatings (TaC)?13 2025-12

Waarom siliciumcarbide (SiC) PVT-kristalgroei niet kan zonder tantaalcarbidecoatings (TaC)?

Bij het groeien van siliciumcarbide (SiC)-kristallen via de Physical Vapor Transport (PVT)-methode is de extreem hoge temperatuur van 2000-2500 °C een “tweesnijdend zwaard” – terwijl het de sublimatie en het transport van bronmaterialen aanstuurt, intensiveert het ook dramatisch de vrijgave van onzuiverheden uit alle materialen binnen het thermische veldsysteem, met name sporen van metaalelementen in conventionele grafiet-hotzone-componenten. Zodra deze onzuiverheden het groeigrensvlak binnendringen, zullen ze direct de kernkwaliteit van het kristal beschadigen. Dit is de fundamentele reden waarom tantaalcarbide (TaC) coatings een “verplichte optie” zijn geworden in plaats van een “optionele keuze” voor PVT-kristalgroei.
Wat zijn de bewerkings- en verwerkingsmethoden voor aluminiumoxidekeramiek12 2025-12

Wat zijn de bewerkings- en verwerkingsmethoden voor aluminiumoxidekeramiek

Bij Veteksemicon gaan we dagelijks met deze uitdagingen om, gespecialiseerd in het transformeren van geavanceerde aluminiumoxidekeramiek in oplossingen die aan veeleisende specificaties voldoen. Het begrijpen van de juiste bewerkings- en verwerkingsmethoden is van cruciaal belang, omdat een verkeerde aanpak kan leiden tot kostbaar afval en defecten aan componenten. Laten we eens kijken naar de professionele technieken die dit mogelijk maken.
Waarom wordt CO₂ geïntroduceerd tijdens het wafelblokjesproces?10 2025-12

Waarom wordt CO₂ geïntroduceerd tijdens het wafelblokjesproces?

Het introduceren van CO₂ in het snijwater tijdens het snijden van wafels is een effectieve procesmaatregel om de opbouw van statische lading te onderdrukken en het besmettingsrisico te verlagen, waardoor de snijopbrengst en de betrouwbaarheid van de chip op lange termijn worden verbeterd.
Wat is Notch op Wafers?05 2025-12

Wat is Notch op Wafers?

Siliciumwafels vormen de basis van geïntegreerde schakelingen en halfgeleiderapparaten. Ze hebben een interessant kenmerk: platte randen of kleine groeven aan de zijkanten. Het is geen defect, maar een opzettelijk ontworpen functionele markering. In feite dient deze inkeping tijdens het hele productieproces als richtingsreferentie en identiteitsmarkering.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies. Privacybeleid
Afwijzen Accepteren