Nieuws

Nieuws

Wij delen graag met u de resultaten van ons werk, bedrijfsnieuws en geven u actuele ontwikkelingen en personeelsaanstellings- en verwijderingsvoorwaarden.
Welkom klanten om de SIC -coating/ TAC -coating- en epitaxy -procesfabriek van Veteksemicon te bezoeken05 2024-09

Welkom klanten om de SIC -coating/ TAC -coating- en epitaxy -procesfabriek van Veteksemicon te bezoeken

Op 5 september bezochten de klanten van Vetek Semiconductor de SIC -coating- en TAC -coatingfabrieken en bereikten verdere overeenkomsten over de nieuwste epitaxiale procesoplossingen.
Welkom klanten om de koolstofvezelproductenfabriek van Veteksemicon te bezoeken10 2025-09

Welkom klanten om de koolstofvezelproductenfabriek van Veteksemicon te bezoeken

Op 5 september 2025 bezocht een klant uit Polen een fabriek onder VETEK om meer te weten te komen over onze geavanceerde technologieën en innovatieve processen bij de productie van koolstofvezelproducten.
Hoe zorgt een tantaalcarbide(TaC)-coating voor langdurig gebruik onder extreme thermische fietsen?22 2025-12

Hoe zorgt een tantaalcarbide(TaC)-coating voor langdurig gebruik onder extreme thermische fietsen?

​De groei van siliciumcarbide (SiC) PVT brengt ernstige thermische cycli met zich mee (kamertemperatuur boven 2200 ℃). De enorme thermische spanning die wordt gegenereerd tussen de coating en het grafietsubstraat als gevolg van de discrepantie in de thermische uitzettingscoëfficiënten (CTE) is de kernuitdaging die de levensduur van de coating en de betrouwbaarheid van de toepassing bepaalt.
Hoe stabiliseren tantaalcarbidecoatings het thermische veld van PVT?17 2025-12

Hoe stabiliseren tantaalcarbidecoatings het thermische veld van PVT?

Bij het siliciumcarbide (SiC) PVT-kristalgroeiproces bepalen de stabiliteit en uniformiteit van het thermische veld rechtstreeks de kristalgroeisnelheid, defectdichtheid en materiaaluniformiteit. Als systeemgrens vertonen thermische veldcomponenten thermofysische oppervlakte-eigenschappen waarvan de kleine fluctuaties dramatisch worden versterkt onder omstandigheden van hoge temperaturen, wat uiteindelijk leidt tot instabiliteit op het groeigrensvlak.
Waarom siliciumcarbide (SiC) PVT-kristalgroei niet kan zonder tantaalcarbidecoatings (TaC)?13 2025-12

Waarom siliciumcarbide (SiC) PVT-kristalgroei niet kan zonder tantaalcarbidecoatings (TaC)?

Bij het groeien van siliciumcarbide (SiC)-kristallen via de Physical Vapor Transport (PVT)-methode is de extreem hoge temperatuur van 2000-2500 °C een “tweesnijdend zwaard” – terwijl het de sublimatie en het transport van bronmaterialen aanstuurt, intensiveert het ook dramatisch de vrijgave van onzuiverheden uit alle materialen binnen het thermische veldsysteem, met name sporen van metaalelementen in conventionele grafiet-hotzone-componenten. Zodra deze onzuiverheden het groeigrensvlak binnendringen, zullen ze direct de kernkwaliteit van het kristal beschadigen. Dit is de fundamentele reden waarom tantaalcarbide (TaC) coatings een “verplichte optie” zijn geworden in plaats van een “optionele keuze” voor PVT-kristalgroei.
Wat zijn de bewerkings- en verwerkingsmethoden voor aluminiumoxidekeramiek12 2025-12

Wat zijn de bewerkings- en verwerkingsmethoden voor aluminiumoxidekeramiek

Bij Veteksemicon gaan we dagelijks met deze uitdagingen om, gespecialiseerd in het transformeren van geavanceerde aluminiumoxidekeramiek in oplossingen die aan veeleisende specificaties voldoen. Het begrijpen van de juiste bewerkings- en verwerkingsmethoden is van cruciaal belang, omdat een verkeerde aanpak kan leiden tot kostbaar afval en defecten aan componenten. Laten we eens kijken naar de professionele technieken die dit mogelijk maken.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept