Nieuws

Ontdek de CNC-precisiebewerkingsmogelijkheden van VeTek Semiconductor voor hoogzuiver grafiet, CVD SiC/TaC-gecoate componenten, massieve SiC-onderdelen en op maat gemaakte halfgeleideroplossingen.

Vetek Semiconductor nam deel aan CSEAC 2026 in Wuxi, China, waar zijn geavanceerde CVD SiC- en TaC-coatings, grafietcomponenten, SiC-keramiek en andere halfgeleiderkernmaterialen werden getoond. Het evenement bood waardevolle kansen om partnerschappen met klanten te versterken, nieuwe technologieën te bespreken, samenwerkingsprojecten te bevorderen en toekomstige kansen in de mondiale halfgeleiderindustrie te verkennen.

VETEK Semiconductor is gespecialiseerd in zes belangrijke productcategorieën, waaronder CVD SiC-coatings, CVD TaC-coatings, Solid SiC, zeer zuivere grafiet- en koolstofvezels, kwarts en geavanceerde keramiek, en halfgeleiderwafels. Onze producten zijn bedoeld voor kritische halfgeleiderprocessen zoals epitaxie, etsen en kristalgroei. Met dubbele R&D-platforms, een volledig geïntegreerd productiesysteem en wereldwijde leveringscapaciteiten worden we erkend als een nationaal gespecialiseerde en geavanceerde ‘kleine gigantische’ onderneming.

VETEK's nieuwe productiefaciliteit voor halfgeleiders is de fase van de constructie van cleanrooms van halfgeleiderkwaliteit ingegaan. De nieuwe locatie zal de productie ondersteunen van CVD SiC-gecoate grafietcomponenten, TaC-coatings, PyC-coatings, Solid SiC-onderdelen en hoogzuivere grafietmaterialen voor halfgeleidertoepassingen.

VeTek Semiconductor deelt de belangrijkste inzichten van SNEC 2026 Shanghai, waarbij de nadruk wordt gelegd op zeer zuiver grafiet, CVD SiC-gecoate grafietcomponenten, koolstofcomposieten en geavanceerde thermische veldmaterialen die de volgende generatie zonne-energieproductie en fotovoltaïsche productie ondersteunen.

VETEK viert de topceremonie van zijn nieuwe productiebasis voor halfgeleiders, waarmee de productiecapaciteit voor geavanceerde SiC-, TaC- en PyC-coatingtechnologieën, vaste SiC-componenten, zeer zuivere grafietonderdelen en halfgeleider thermische veldmaterialen wordt uitgebreid.

Op 5 september bezochten de klanten van Vetek Semiconductor de SIC -coating- en TAC -coatingfabrieken en bereikten verdere overeenkomsten over de nieuwste epitaxiale procesoplossingen.

Op 5 september 2025 bezocht een klant uit Polen een fabriek onder VETEK om meer te weten te komen over onze geavanceerde technologieën en innovatieve processen bij de productie van koolstofvezelproducten.

SiC-gecoate grafietwafeldragers zijn kritische thermische en mechanische componenten in MOCVD-systemen voor GaN- en LED-epitaxie. In dit technische artikel wordt uitgelegd hoe de dragergeometrie, pocketdiepte, vlakheid, grafieteigenschappen en CVD SiC-coatingconditie de wafertemperatuurverdeling, epitaxiale uniformiteit en procesherhaalbaarheid beïnvloeden. Het onderzoekt ook de relatie tussen thermische uniformiteit en apparaatopbrengst, gebruikelijke mechanismen voor degradatie van coatings, levensduuroverwegingen en de technische gegevens die nodig zijn bij het specificeren van een aangepaste of vervangende MOCVD-waferdrager.

SiC-gecoat grafiet combineert de bewerkbaarheid en het thermische gedrag van hoogzuiver grafiet met een chemisch stabiel CVD-siliciumcarbideprocesoppervlak. Dit technische witboek legt uit waarom kaal grafiet een bron kan worden van chemische interactie, onzuiverheden en deeltjes in epitaxiereactoren, hoe CVD SiC een stabielere procesgrens creëert, en waarom coatingintegriteit, substraatcompatibiliteit, geometrie en thermisch gedrag samen moeten worden ontwikkeld. Het onderzoekt ook de verschillende eisen van silicium- en SiC-epitaxie en schetst hoe gecoate susceptoren moeten worden gespecificeerd voor halfgeleidertoepassingen.

Een SiC-gecoate grafiet susceptor is een kritische thermische veldcomponent in halfgeleiderepitaxie in plaats van eenvoudigweg een waferhouder. Dit technische artikel legt uit hoe susceptorgeometrie, vlakheid, pocketontwerp, grafieteigenschappen en CVD SiC-coatingkwaliteit samenwerken om de thermische grenzen, temperatuurverdeling en epitaxiale uniformiteit van wafers te beïnvloeden. Het onderzoekt ook veelvoorkomende defecten aan susceptoren, degradatie van coatings, deeltjesrisico's en de belangrijkste technische parameters die nodig zijn bij het specificeren van een aangepaste of vervangende epitaxie susceptor.

CVD-siliciumcarbidecoating wordt geproduceerd door een dichte SiC-laag op zeer zuiver grafiet af te zetten via gecontroleerde gasfase- en oppervlaktereacties. In dit artikel worden de substraatvoorbereiding, op MTS gebaseerde CVD-groei, nucleatie en massaoverdracht, laagdikte en uniformiteit, SiC/grafiet grensvlakspanning, veelvoorkomende defecten en halfgeleiderinspectie uitgelegd. Het laat ook zien waarom procesparameters en componentgeometrie samen moeten worden ontworpen voor susceptors en waferdragers die worden gebruikt in epitaxie en MOCVD.

Siliciumcarbidecoating is een dichte CVD SiC-laag die wordt aangebracht op zeer zuivere grafietcomponenten die worden gebruikt bij de verwerking van halfgeleiders. Dit artikel legt uit waarom grafiet is gecoat met SiC, hoe CVD SiC wordt gevormd, welke coatingeigenschappen en interfacefactoren de prestaties bepalen, en hoe met SiC gecoat grafiet siliciumepitaxie, SiC-epitaxie en MOCVD ondersteunt. Het onderzoekt ook de laagdikte, CTE-mismatch, delaminatierisico en de technische informatie die vereist is bij het specificeren van susceptors, waferdragers en andere gecoate componenten.

Technisch witboek over hoe CVD SiC- en TaC-coatings de thermische stabiliteit, verontreiniging, deeltjes en herhaalbaarheid in de epitaxie van halfgeleiders beïnvloeden, met parametertabellen, een beslissingsboom voor coatingselectie, faalmechanismen en RFQ-criteria.

8-inch SiC wordt nu in volume geproduceerd, maar de opbrengst van de wafers – en niet de capaciteit – onderscheidt de winnaars. In deze gids wordt uitgelegd waarom de TaC-coating op grafietonderdelen in de hete zone de opbrengst bepaalt, en hoe u een leverancier kunt kwalificeren.

Bij de moderne chipproductie biedt het substraat fysieke ondersteuning en een pad voor warmteafvoer, terwijl de epitaxiale laag de elektrische prestatielimieten van het apparaat bepaalt. Dit artikel biedt een diepgaande analyse van de fundamentele verschillen tussen monokristallijne silicium- en siliciumcarbidesubstraten en CVD/MBE epitaxiale processen, en laat zien hoe epitaxiale technologie de prestaties van hoogfrequente en hoogspanningsapparaten verbetert door de defectdichtheid te verminderen en spanningstechniek te integreren. Of u nu een procesingenieur of een besluitvormer op het gebied van inkoop bent, deze gids helpt u snel de meest geschikte waferselectiestrategie te identificeren.