Producten
7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof
  • 7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof

7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof

De kwaliteit van het oorspronkelijke bronmateriaal is de belangrijkste factor die de wafelopbrengst bij de productie van SiC-eenkristallen beperkt. VETEK's 7N High-Purity CVD SiC Bulk biedt een polykristallijn alternatief met hoge dichtheid voor traditionele poeders, speciaal ontwikkeld voor Physical Vapor Transport (PVT). Door gebruik te maken van een bulk-CVD-formulier elimineren we veelvoorkomende groeifouten en verbeteren we de ovendoorvoer aanzienlijk. Ik kijk uit naar uw aanvraag.

1. Kernprestatiefactoren



  • Zuiverheid van 7N-kwaliteit: We handhaven een consistente zuiverheid van 99,99999% (7N), waardoor de metallische onzuiverheden op ppb-niveaus blijven. Dit is essentieel voor het kweken van semi-isolerende (HPSI) kristallen met hoge weerstand en het garanderen van nulverontreiniging in stroom- of RF-toepassingen.
  • Structurele stabiliteit versus C-stof: In tegenstelling tot traditionele poeders die tijdens sublimatie de neiging hebben in te storten of fijne deeltjes vrij te geven, blijft onze CVD-bulk met grote korrel structureel stabiel. Dit voorkomt migratie van koolstofstof (C-stof) naar de groeizone – de belangrijkste oorzaak van kristalinsluitsels en microbuisdefecten.
  • Geoptimaliseerde groeikinetiek: Deze bron is ontworpen voor productie op industriële schaal en ondersteunt groeisnelheden tot 1,46 mm/u. Dit vertegenwoordigt een verbetering van 2x tot 3x ten opzichte van de 0,3–0,8 mm/u die doorgaans wordt bereikt met conventionele poedergebaseerde methoden.
  • Beheer van thermische gradiënten: De hoge bulkdichtheid en specifieke geometrie van onze blokken creëren een agressievere temperatuurgradiënt in de smeltkroes. Dit bevordert een evenwichtige afgifte van silicium- en koolstofdampen, waardoor de ‘Si-rijk vroeg / C-rijk laat’-fluctuaties die standaardprocessen teisteren, worden verzacht.
  • Optimalisatie van het laden van smeltkroezen: Ons materiaal zorgt voor een toename van 2kg+ in laadcapaciteit voor 8-inch smeltkroezen vergeleken met poedermethoden. Dit maakt de groei van langere blokken per cyclus mogelijk, waardoor de opbrengst na productie direct naar 100% wordt verbeterd.



Vetek CVD SiC Raw Material


1. Technische specificaties

Parameter
Gegevens
Materiaal basis
Zeer zuiver polykristallijn CVD SiC
Zuiverheid standaard
7N (≥ 99,99999%)
Stikstof (N) concentratie
≤ 5 × 10¹⁵cm⁻³
Morfologie
Blokken met hoge dichtheid en grote korrels
Procesaanvraag
Op PVT gebaseerde 4H- en 6H-SiC-kristalgroei
Groeibenchmark
1,46 mm/u met hoge kristalkwaliteit

Vergelijking: traditioneel poeder versus VETEK CVD bulk

Vergelijkingsitem
Traditioneel SiC-poeder
VETEK CVD-SiC-bulk
Fysieke vorm
Fijn/onregelmatig poeder
Dichte blokken met grote korrel
Insluitingsrisico
Hoog (door migratie van C-stof)
Minimaal (structurele stabiliteit)
Groeisnelheid
0,3 – 0,8 mm/uur
Tot 1,46 mm/uur
Fasestabiliteit
Drift tijdens lange groeicycli
Stabiele stoichiometrische afgifte
Ovencapaciteit
Standaard
+2 kg per smeltkroes van 8 inch


CVD SiC Raw Material for SiC Crystal Growth

Hottags: 7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies. Privacybeleid
Afwijzen Accepteren