Producten
7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof
  • 7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof

7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof

De kwaliteit van het oorspronkelijke bronmateriaal is de belangrijkste factor die de wafelopbrengst bij de productie van SiC-eenkristallen beperkt. VETEK's 7N High-Purity CVD SiC Bulk biedt een polykristallijn alternatief met hoge dichtheid voor traditionele poeders, speciaal ontwikkeld voor Physical Vapor Transport (PVT). Door gebruik te maken van een bulk-CVD-formulier elimineren we veelvoorkomende groeifouten en verbeteren we de ovendoorvoer aanzienlijk. Ik kijk uit naar uw aanvraag.

1. Kernprestatiefactoren



  • Zuiverheid van 7N-kwaliteit: We handhaven een consistente zuiverheid van 99,99999% (7N), waardoor de metallische onzuiverheden op ppb-niveaus blijven. Dit is essentieel voor het kweken van semi-isolerende (HPSI) kristallen met hoge weerstand en het garanderen van nulverontreiniging in stroom- of RF-toepassingen.
  • Structurele stabiliteit versus C-stof: In tegenstelling tot traditionele poeders die tijdens sublimatie de neiging hebben in te storten of fijne deeltjes vrij te geven, blijft onze CVD-bulk met grote korrel structureel stabiel. Dit voorkomt migratie van koolstofstof (C-stof) naar de groeizone – de belangrijkste oorzaak van kristalinsluitsels en microbuisdefecten.
  • Geoptimaliseerde groeikinetiek: Deze bron is ontworpen voor productie op industriële schaal en ondersteunt groeisnelheden tot 1,46 mm/u. Dit vertegenwoordigt een verbetering van 2x tot 3x ten opzichte van de 0,3–0,8 mm/u die doorgaans wordt bereikt met conventionele poedergebaseerde methoden.
  • Beheer van thermische gradiënten: De hoge bulkdichtheid en specifieke geometrie van onze blokken creëren een agressievere temperatuurgradiënt in de smeltkroes. Dit bevordert een evenwichtige afgifte van silicium- en koolstofdampen, waardoor de ‘Si-rijk vroeg / C-rijk laat’-fluctuaties die standaardprocessen teisteren, worden verzacht.
  • Optimalisatie van het laden van smeltkroezen: Ons materiaal zorgt voor een toename van 2kg+ in laadcapaciteit voor 8-inch smeltkroezen vergeleken met poedermethoden. Dit maakt de groei van langere blokken per cyclus mogelijk, waardoor de opbrengst na productie direct naar 100% wordt verbeterd.



Vetek CVD SiC Raw Material


1. Technische specificaties

Parameter
Gegevens
Materiaal basis
Zeer zuiver polykristallijn CVD SiC
Zuiverheid standaard
7N (≥ 99,99999%)
Stikstof (N) concentratie
≤ 5 × 10¹⁵cm⁻³
Morfologie
Blokken met hoge dichtheid en grote korrels
Procesaanvraag
Op PVT gebaseerde 4H- en 6H-SiC-kristalgroei
Groeibenchmark
1,46 mm/u met hoge kristalkwaliteit

Vergelijking: traditioneel poeder versus VETEK CVD bulk

Vergelijkingsitem
Traditioneel SiC-poeder
VETEK CVD-SiC-bulk
Fysieke vorm
Fijn/onregelmatig poeder
Dichte blokken met grote korrel
Insluitingsrisico
Hoog (door migratie van C-stof)
Minimaal (structurele stabiliteit)
Groeisnelheid
0,3 – 0,8 mm/uur
Tot 1,46 mm/u
Fasestabiliteit
Drift tijdens lange groeicycli
Stabiele stoichiometrische afgifte
Ovencapaciteit
Standaard
+2 kg per smeltkroes van 8 inch


CVD SiC Raw Material for SiC Crystal Growth

Hottags: 7N zeer zuivere CVD SiC-grondstof
Stuur onderzoek
Contact informatie
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies.Privacybeleid