Producten
CVD SiC-coating Epitaxie susceptor
  • CVD SiC-coating Epitaxie susceptorCVD SiC-coating Epitaxie susceptor

CVD SiC-coating Epitaxie susceptor

De CVD SiC Coating Epitaxy Susceptor van VeTek Semiconductor is een nauwkeurig ontworpen hulpmiddel dat is ontworpen voor het hanteren en verwerken van halfgeleiderwafels. Deze SiC Coating Epitaxy Susceptor speelt een cruciale rol bij het bevorderen van de groei van dunne films, epilagen en andere coatings, en kan de temperatuur en materiaaleigenschappen nauwkeurig regelen. Stem in met uw verdere onderzoeken.

De CVD SiC Coating Epitaxy Susceptor van Veteksemicon is een nauwkeurig ontworpen hulpmiddel dat is ontworpen voor de verwerking van halfgeleiderwafels. Deze SiC Coating Epitaxy Susceptor speelt een cruciale rol bij het bevorderen van de groei van dunne films, epilagen en andere coatings, en kan de temperatuur en materiaaleigenschappen nauwkeurig regelen. Stem in met uw verdere onderzoeken.



Basisfysieke eigenschappen van CVD SiC-coating:

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom
Typische waarde
Kristalstructuur
FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
Dikte
3,21 g/cm³
Hardheid
2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte
2~10μm
Chemische zuiverheid
99,99995%
Warmtecapaciteit
640 J·kg-1·K-1
Sublimatie temperatuur
2700℃
Buigsterkte
415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus
430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Thermische geleidbaarheid
300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)
4,5×10-6K-1

CVD SiC Coating Epitaxie Susceptor Productvoordelen:


● Nauwkeurige afzetting: Susceptor combineert een zeer thermisch geleidend grafietsubstraat met een SiC-coating om een ​​stabiel ondersteuningsplatform te bieden voor substraten (zoals saffier, SiC of GaN). Zijn hoge thermische geleidbaarheid (zoals SiC is ongeveer 120 W/m·K) kan snel warmte overbrengen en een uniforme temperatuurverdeling op het substraatoppervlak garanderen, waardoor hoogwaardige groei van de epitaxiale laag wordt bevorderd.

● Verminderde besmetting: De door het CVD-proces bereide SiC-coating heeft een extreem hoge zuiverheid (gehalte aan onzuiverheden <5 ppm) en is zeer goed bestand tegen corrosieve gassen (zoals Cl₂, NH₃), waardoor vervuiling van de epitaxiale laag wordt vermeden.

● Duurzaamheid: De hoge hardheid van SiC (Mohs-hardheid 9,5) en slijtvastheid verminderen het mechanische verlies van de basis bij herhaald gebruik en zijn geschikt voor hoogfrequente halfgeleiderproductieprocessen.



VeTeksemicon streeft ernaar producten van hoge kwaliteit en concurrerende prijzen te leveren. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te zijn.


VeTek-halfgeleider Productwinkels:

graphite-epi-susceptormocvd-led-epi-susceptorgraphite-epitaxygraphite-epitaxy-susceptor


Hottags: CVD SiC-coating Epitaxie susceptor
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies.Privacybeleid
AfwijzenAccepteren