Gan Epitaxiale grafietondersteuning voor G5

VeTek Semiconductor is een professionele China GaN epitaxiale grafiet susceptor voor G5-fabrikant en leverancier. De GaN epitaxiale grafiet susceptor voor G5 is een cruciaal onderdeel dat wordt gebruikt in het Aixtron G5 metaal-organische chemische dampafzetting (MOCVD) -systeem voor de groei van hoogwaardige dunne films van galliumnitride (GaN). Het speelt een cruciale rol bij het garanderen van een uniforme temperatuur distributie, efficiënte warmteoverdracht en minimale vervuiling tijdens het groeiproces.

Belangrijkste kenmerken van VeTek Semiconductor GaN epitaxiale grafiet susceptor voor G5:

-Hoge zuiverheid: de susceptor is gemaakt van zeer puur grafiet met CVD -coating, waardoor de vervuiling van de groeiende GAN -films wordt geminimaliseerd.

-Uitstekende thermische geleidbaarheid: De hoge thermische geleidbaarheid van grafiet (150-300 W/(m·K)) zorgt voor een uniforme temperatuurverdeling over de susceptor, wat leidt tot consistente GaN-filmgroei.

-Lage thermische uitzetting: De lage thermische uitzettingscoëfficiënt van de susceptor minimaliseert thermische spanning en scheuren tijdens het groeiproces bij hoge temperaturen.

-Cemische inertie: grafiet is chemisch inert en reageert niet met de GAN -voorlopers, waardoor ongewenste onzuiverheden in de volwassen films worden voorkomen.

-Compatibiliteit met Aixtron G5: De susceptor is speciaal ontworpen voor gebruik in het Aixtron G5 MOCVD-systeem, waardoor een goede pasvorm en functionaliteit wordt gegarandeerd.

Toepassingen:

LED's met hoge helderheid: Op GaN gebaseerde LED's bieden een hoge efficiëntie en een lange levensduur, waardoor ze ideaal zijn voor algemene verlichting, autoverlichting en displaytoepassingen.

High-Power Transistors: GaN-transistoren bieden superieure prestaties in termen van vermogensdichtheid, efficiëntie en schakelsnelheid, waardoor ze geschikt zijn voor stroomelektronica-toepassingen.

Laserdioden: op GAN gebaseerde laserdioden bieden een hoge efficiëntie en korte golflengten, waardoor ze ideaal zijn voor optische opslag- en communicatietoepassingen.

Productparameter van de GAN -epitaxiale grafiet Susceptor voor G5

Opmerking: vóór de coating zullen we de eerste zuivering doen, na coating, zullen tweede zuivering doen.

VeTek halfgeleiderproductiewinkel: