Siliciumcarbide coating

Als professionele fabrikant en leverancier van waferdragers met SiC-coating worden de waferdragers met SiC-coating van Vetek Semiconductor voornamelijk gebruikt om de groei-uniformiteit van de epitaxiale laag te verbeteren, waardoor hun stabiliteit en integriteit in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve omgevingen wordt gewaarborgd.

Vetek Semiconductor is een China Professional Ald Susceptor -fabrikant. Vetek ontwikkelde en produceerde gezamenlijk SiC-gecoate ALD-planetaire bases met ALD-systeemfabrikanten om te voldoen aan de hoge vereisten van het ALD-proces. Verwelkom uw consult.

Vetek Semiconductor's CVD SIC gecoate plafond heeft uitstekende eigenschappen zoals weerstand van hoge temperatuur, corrosieweerstand, hoge hardheid en lage thermische expansiecoëfficiënt, waardoor het een ideale materiaalkeuze is in de productie van halfgeleiders. Als een China toonaangevende CVD SIC gecoate plafondfabrikant en leverancier, kijkt Vetek Semiconductor uit naar uw consult.

Vetek Semiconductor is een professionele fabrikant van MOCVD LED EPI Susceptor in China. Onze MOCVD LED EPI -susceptor is ontworpen voor het eisen van ePitaxiale apparatuurtoepassingen. De hoge thermische geleidbaarheid, chemische stabiliteit en duurzaamheid zijn belangrijke factoren om een ​​stabiel epitaxiaal groeiproces en de productie van halfgeleiders te garanderen.

De SIC Coating ALD Susceptor is een ondersteuningscomponent dat specifiek wordt gebruikt in het Atomic Layer Deposition (ALD) -proces. Het speelt een sleutelrol in de ALD -apparatuur en zorgt voor de uniformiteit en precisie van het depositieproces. Wij geloven dat onze ALD Planetary Susceptor-producten u van hoogwaardige productoplossingen kunnen opleveren.

De CVD SiC-gecoate RTP-susceptor van VeTek Semiconductor is bedoeld voor apparatuur voor snelle thermische verwerking (RTP) en snelle thermische gloeiing (RTA) die wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiders. Het substraat is vervaardigd uit zeer zuiver isostatisch grafiet, waarover een dichte CVD-laag siliciumcarbide (SiC) is afgezet. Deze constructie levert een hoge thermische geleidbaarheid, robuuste chemische inertheid en aanhoudende maatvastheid op bij herhaalde cycli bij hoge temperaturen.