Producten
Waferdrager met SiC-coating
  • Waferdrager met SiC-coatingWaferdrager met SiC-coating

Waferdrager met SiC-coating

Als professionele fabrikant en leverancier van waferdragers met SiC-coating worden de waferdragers met SiC-coating van Vetek Semiconductor voornamelijk gebruikt om de groei-uniformiteit van de epitaxiale laag te verbeteren, waardoor hun stabiliteit en integriteit in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve omgevingen wordt gewaarborgd.

Vetek Semiconductor is gespecialiseerd in de productie en levering van hoogwaardige waferdragers met SiC-coating en zet zich in voor het leveren van geavanceerde technologie en productoplossingen aan de halfgeleiderindustrie.


Bij de productie van halfgeleiders is de waferdrager met SiC-coating van Vetek Semiconductor een sleutelcomponent in apparatuur voor chemische dampdepositie (CVD), vooral in apparatuur voor metaalorganische chemische dampdepositie (MOCVD). De belangrijkste taak ervan is het ondersteunen en verwarmen van het monokristallijne substraat, zodat de epitaxiale laag gelijkmatig kan groeien. Dit is essentieel voor de productie van halfgeleiderapparaten van hoge kwaliteit.


De corrosieweerstand van de SiC-coating is zeer goed, wat de grafietbasis effectief kan beschermen tegen corrosieve gassen. Dit is vooral belangrijk in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve omstandigheden. Bovendien is de thermische geleidbaarheid van SiC-materiaal ook zeer uitstekend, dat warmte gelijkmatig kan geleiden en een uniforme temperatuurverdeling kan garanderen, waardoor de groeikwaliteit van epitaxiale materialen wordt verbeterd.


SiC-coating handhaaft de chemische stabiliteit bij hoge temperaturen en een corrosieve atmosfeer, waardoor het probleem van defecten aan de coating wordt vermeden. Belangrijker nog is dat de thermische uitzettingscoëfficiënt van SiC vergelijkbaar is met die van grafiet, waardoor het probleem van het loslaten van de coating als gevolg van thermische uitzetting en krimp kan worden voorkomen en de stabiliteit en betrouwbaarheid van de coating op lange termijn kan worden gegarandeerd.


Fundamentele fysieke eigenschappen vanWaferdrager met SiC-coating:


Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom
Typische waarde
Kristalstructuur
FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
Dikte
3,21 g/cm³
Hardheid
2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte
2~10μm
Chemische zuiverheid
99,99995%
Warmtecapaciteit
640 J·kg-1·K-1
Sublimatie temperatuur
2700℃
Buigsterkte
415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus
430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Thermische geleidbaarheid
300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)
4,5×10-6K-1


Productie winkel:

VeTek Semiconductor Production Shop


Overzicht van de epitaxie-industrieketen van halfgeleiderchips:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Hottags: Waferdrager met SiC-coating, Waferdrager van siliciumcarbide, Ondersteuning voor halfgeleiderwafels
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies.Privacybeleid
AfwijzenAccepteren