Producten

Producten

View as  
 
CVD TaC-gecoate susceptor

CVD TaC-gecoate susceptor

Vetek CVD TaC Coated Susceptor is een precisieoplossing die speciaal is ontwikkeld voor krachtige epitaxiale MOCVD-groei. Het vertoont uitstekende thermische stabiliteit en chemische inertie in omgevingen met extreem hoge temperaturen van 1600°C. We vertrouwen op het rigoureuze CVD-afzettingsproces van VETEK en streven ernaar de uniformiteit van de wafergroei te verbeteren, de levensduur van kerncomponenten te verlengen en stabiele en betrouwbare prestatiegaranties te bieden voor elke batch halfgeleiderproductie.
Massieve siliciumcarbide scherpstelring

Massieve siliciumcarbide scherpstelring

Veteksemicon Vaste Siliciumcarbide (SiC) Focusring is een kritische verbruikscomponent die wordt gebruikt in geavanceerde epitaxie- en plasma-etsprocessen van halfgeleiders, waarbij nauwkeurige controle van de plasmadistributie, thermische uniformiteit en waferrandeffecten essentieel zijn. Deze focusseringsring is vervaardigd uit zeer zuiver siliciumcarbide en vertoont een uitzonderlijke weerstand tegen plasma-erosie, stabiliteit bij hoge temperaturen en chemische inertheid, waardoor betrouwbare prestaties onder agressieve procesomstandigheden mogelijk zijn. Wij verheugen ons op uw aanvraag.
Grote SiC-kristalgroeioven met weerstandsverwarming

Grote SiC-kristalgroeioven met weerstandsverwarming

De kristalgroei van siliciumcarbide is een kernproces bij de productie van hoogwaardige halfgeleiderapparaten. De stabiliteit, precisie en compatibiliteit van kristalgroeiapparatuur bepalen rechtstreeks de kwaliteit en opbrengst van siliciumcarbide-ingots. Gebaseerd op de kenmerken van Physical Vapor Transport (PVT)-technologie heeft Veteksemi een weerstandsverwarmingsoven ontwikkeld voor de groei van siliciumcarbidekristallen, waardoor een stabiele groei van 6-inch, 8-inch en 12-inch siliciumcarbidekristallen mogelijk wordt gemaakt met volledige compatibiliteit met geleidende, semi-isolerende en N-type materiaalsystemen. Door nauwkeurige controle van temperatuur, druk en vermogen vermindert het effectief kristaldefecten zoals EPD (Etch Pit Density) en BPD (Basal Plane Dislocation), terwijl het een laag energieverbruik en een compact ontwerp heeft om te voldoen aan de hoge normen van industriële grootschalige productie.
Siliciumcarbide zaadkristalverlijming Vacuüm-hetepersoven

Siliciumcarbide zaadkristalverlijming Vacuüm-hetepersoven

De SiC-zaadbindingstechnologie is een van de belangrijkste processen die de kristalgroei beïnvloeden. VETEK heeft een gespecialiseerde vacuüm-hetepersoven ontwikkeld voor zaadbinding op basis van de kenmerken van dit proces. De oven kan verschillende defecten die tijdens het zaadbindingsproces worden gegenereerd effectief verminderen, waardoor de opbrengst en de uiteindelijke kwaliteit van de kristalstaaf worden verbeterd.
Epitaxiale reactorkamer met SiC-coating

Epitaxiale reactorkamer met SiC-coating

De Veteksemicon SiC-gecoate epitaxiale reactorkamer is een kerncomponent die is ontworpen voor veeleisende epitaxiale groeiprocessen van halfgeleiders. Door gebruik te maken van geavanceerde chemische dampafzetting (CVD) vormt dit product een dichte, zeer zuivere SiC-coating op een zeer sterk grafietsubstraat, wat resulteert in superieure stabiliteit bij hoge temperaturen en corrosieweerstand. Het is effectief bestand tegen de corrosieve effecten van reactantgassen in procesomgevingen met hoge temperaturen, onderdrukt deeltjesverontreiniging aanzienlijk, zorgt voor een consistente epitaxiale materiaalkwaliteit en hoge opbrengst, en verlengt aanzienlijk de onderhoudscyclus en levensduur van de reactiekamer. Het is een belangrijke keuze voor het verbeteren van de productie-efficiëntie en betrouwbaarheid van halfgeleiders met een grote bandafstand, zoals SiC en GaN.
Siliciumcassetteboot

Siliciumcassetteboot

De Silicon Cassette Boat van Veteksemicon is een nauwkeurig ontworpen waferdrager die speciaal is ontwikkeld voor halfgeleideroventoepassingen bij hoge temperaturen, waaronder oxidatie, diffusie, drive-in en gloeien. Het is vervaardigd uit ultrazuiver silicium en afgewerkt volgens geavanceerde normen voor verontreinigingsbeheersing. Het biedt een thermisch stabiel, chemisch inert platform dat nauw aansluit bij de eigenschappen van siliciumwafels zelf. Deze uitlijning minimaliseert thermische spanning, vermindert slip- en defectvorming en zorgt voor een uitzonderlijk uniforme warmteverdeling door de batch
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies. Privacybeleid
Afwijzen Accepteren