Producten

VeTek Semiconductor is een professionele fabrikant en leverancier van poreuze grafietgeleidingsringen in China. we bieden niet alleen geavanceerde en duurzame poreuze grafietgeleidingsringen, maar ondersteunen ook diensten op maat. Welkom bij het kopen van poreuze grafietgeleidingsringen in onze fabriek.

VETEK MOCVD SiC gecoate susceptor is een nauwkeurig ontworpen drageroplossing die speciaal is ontwikkeld voor epitaxiale groei van LED en samengestelde halfgeleiders. Het demonstreert uitzonderlijke thermische uniformiteit en chemische inertheid binnen complexe MOCVD-omgevingen. Door gebruik te maken van het rigoureuze CVD-depositieproces van VETEK streven we ernaar de consistentie van de wafergroei te verbeteren en de levensduur van kerncomponenten te verlengen, waardoor stabiele en betrouwbare prestatiegaranties worden geboden voor elke batch van uw halfgeleiderproductie.

Vetek CVD TaC Coated Susceptor is een precisieoplossing die speciaal is ontwikkeld voor krachtige epitaxiale MOCVD-groei. Het vertoont uitstekende thermische stabiliteit en chemische inertie in omgevingen met extreem hoge temperaturen van 1600°C. We vertrouwen op het rigoureuze CVD-afzettingsproces van VETEK en streven ernaar de uniformiteit van de wafergroei te verbeteren, de levensduur van kerncomponenten te verlengen en stabiele en betrouwbare prestatiegaranties te bieden voor elke batch halfgeleiderproductie.

Veteksemicon Vaste Siliciumcarbide (SiC) Focusring is een kritische verbruikscomponent die wordt gebruikt in geavanceerde epitaxie- en plasma-etsprocessen van halfgeleiders, waarbij nauwkeurige controle van de plasmadistributie, thermische uniformiteit en waferrandeffecten essentieel zijn. Deze focusseringsring is vervaardigd uit zeer zuiver siliciumcarbide en vertoont een uitzonderlijke weerstand tegen plasma-erosie, stabiliteit bij hoge temperaturen en chemische inertheid, waardoor betrouwbare prestaties onder agressieve procesomstandigheden mogelijk zijn. Wij verheugen ons op uw aanvraag.

De kristalgroei van siliciumcarbide is een kernproces bij de productie van hoogwaardige halfgeleiderapparaten. De stabiliteit, precisie en compatibiliteit van kristalgroeiapparatuur bepalen rechtstreeks de kwaliteit en opbrengst van siliciumcarbide-ingots. Gebaseerd op de kenmerken van Physical Vapor Transport (PVT)-technologie heeft Veteksemi een weerstandsverwarmingsoven ontwikkeld voor de groei van siliciumcarbidekristallen, waardoor een stabiele groei van 6-inch, 8-inch en 12-inch siliciumcarbidekristallen mogelijk wordt gemaakt met volledige compatibiliteit met geleidende, semi-isolerende en N-type materiaalsystemen. Door nauwkeurige controle van temperatuur, druk en vermogen vermindert het effectief kristaldefecten zoals EPD (Etch Pit Density) en BPD (Basal Plane Dislocation), terwijl het een laag energieverbruik en een compact ontwerp heeft om te voldoen aan de hoge normen van industriële grootschalige productie.

De SiC-zaadbindingstechnologie is een van de belangrijkste processen die de kristalgroei beïnvloeden. VETEK heeft een gespecialiseerde vacuüm-hetepersoven ontwikkeld voor zaadbinding op basis van de kenmerken van dit proces. De oven kan verschillende defecten die tijdens het zaadbindingsproces worden gegenereerd effectief verminderen, waardoor de opbrengst en de uiteindelijke kwaliteit van de kristalstaaf worden verbeterd.