Producten
MOCVD SiC-gecoate susceptor
  • MOCVD SiC-gecoate susceptorMOCVD SiC-gecoate susceptor

MOCVD SiC-gecoate susceptor

VETEK MOCVD SiC gecoate susceptor is een nauwkeurig ontworpen drageroplossing die speciaal is ontwikkeld voor epitaxiale groei van LED en samengestelde halfgeleiders. Het demonstreert uitzonderlijke thermische uniformiteit en chemische inertheid binnen complexe MOCVD-omgevingen. Door gebruik te maken van het rigoureuze CVD-depositieproces van VETEK streven we ernaar de consistentie van de wafergroei te verbeteren en de levensduur van kerncomponenten te verlengen, waardoor stabiele en betrouwbare prestatiegaranties worden geboden voor elke batch van uw halfgeleiderproductie.

Technische parameters


Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom
Typische waarde
Kristalstructuur
FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) oriëntatie
Dikte
3,21 g/cm³
Hardheid
2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte
2~10μm
Chemische zuiverheid
99,99995%
Warmtecapaciteit
640 J·kg-1·K-1
Sublimatie temperatuur
2700℃
Buigsterkte
415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus
430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Thermische geleidbaarheid
300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)
4,5 × 10-6K-1


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SIC-FILMKRISTALSTRUCTUUR


Productdefinitie en samenstelling


De VETEK MOCVD SiC gecoate susceptor is een premium waferdragende component die speciaal is ontworpen voor de epitaxiale verwerking van halfgeleiders van de derde generatie, zoals GaN en SiC. Dit product integreert de superieure fysieke eigenschappen van twee hoogwaardige materialen:


Hoogzuiver grafietsubstraat: Vervaardigd met behulp van isostatische perstechnologie om ervoor te zorgen dat het basismateriaal een uitzonderlijke structurele integriteit, hoge dichtheid en thermische verwerkingsstabiliteit bezit.

CVD SiC-coating: Een dichte, spanningsvrije beschermlaag van siliciumcarbide (SiC) wordt op het grafietoppervlak aangebracht door middel van geavanceerde Chemical Vapour Deposition (CVD) technologie.


Waarom VETEK uw rendementsgarantie is


Ultieme precisie in thermische uniformiteitscontrole: In tegenstelling tot conventionele dragers bereiken VETEK-susceptors een zeer gesynchroniseerde warmteoverdracht over het gehele oppervlak door nauwkeurige controle op nanometerschaal van de laagdikte en thermische weerstand. Dit geavanceerde thermische beheer minimaliseert effectief de golflengtestandaardafwijking (STD) op het waferoppervlak, waardoor zowel de kwaliteit van één wafer als de algehele batchconsistentie aanzienlijk wordt verbeterd.

Langdurige bescherming zonder deeltjesverontreiniging: In MOCVD-reactiekamers die zeer corrosieve gassen bevatten, zijn gewone grafietvoetstukken gevoelig voor deeltjesafschilfering. De CVD SiC-coating van VETEK bezit een uitzonderlijke chemische inertheid en fungeert als een ondoordringbaar schild dat grafietmicroporiën afdicht. Dit zorgt voor een totale isolatie van substraatonzuiverheden, waardoor elke verontreiniging van de epitaxiale GaN- of SiC-lagen wordt voorkomen.

Uitzonderlijke weerstand tegen vermoeidheid en levensduur:Dankzij het gepatenteerde interfacebehandelingsproces van VETEK bereikt onze SiC-coating een geoptimaliseerde thermische uitzettingsmatch met het grafietsubstraat. Zelfs onder hoogfrequente thermische cycli tussen extreme temperaturen behoudt de coating een superieure hechting zonder af te pellen of microscheurtjes te ontwikkelen. Dit vermindert de frequentie van het onderhoud van reserveonderdelen aanzienlijk en verlaagt uw totale eigendomskosten.


Onze werkplaats

Our workshop

Hottags: MOCVD SiC-gecoate susceptor
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies. Privacybeleid
Afwijzen Accepteren