Poreuze grafietgeleidingsring

Kernproductvoordelen

1. Garantie voor ultrahoge zuiverheid en lage defecten

Gebruikt een 3000 ℃ vacuümzuiveringsproces op hoge temperatuur om niet-metaalhoudende onzuiverheden zoals zuurstof en stikstof diep te verwijderen, waardoor de productzuiverheid wordt verhoogd tot ≥99,9995%. Het elimineert door onzuiverheden veroorzaakte kristaldefecten (bijv. microtubuli, dislocaties) uit de bron, waardoor de consistentie en stabiliteit van de elektrische eigenschappen van SiC-eenkristallen wordt gewaarborgd en een solide basis wordt gelegd voor kristalgroei van hoge kwaliteit.

2. Stabiliteit bij ultrahoge temperaturen en nauwkeurige thermische veldregeling

Bestand tegen extreem hoge temperaturen van 2200 ℃ in een argon- of vacuümomgeving en werkt continu en stabiel gedurende meer dan 1000 uur zonder verzachting of vervorming. Het product heeft een lage thermische uitzettingscoëfficiënt, waardoor materiaalscheuren veroorzaakt door thermische spanning effectief kunnen worden voorkomen. Het ondersteunt het ontwerp van de porositeitsverdeling met een gradiëntverdeling (15-30%) en optimaliseert de poriegrootte (10-200 μm) in combinatie met CFD-simulatietechnologie (Computational Fluid Dynamics), waardoor de fluctuatie van de temperatuurgradiënt binnen ± 3 ℃ wordt gecontroleerd en de uniformiteit van het thermische veld en de consistentie van de kristalgroei aanzienlijk worden verbeterd.

3. Aanpassing op maat en tevredenheid over het volledige scenario

• Geometrische vormaanpassing: Kan complexe vormen zoals ringvormige vaten en meerlaagse schildstructuren nauwkeurig verwerken volgens de ovenstructuren van de klant om een ​​perfecte afstemming en installatie te bereiken.
• Aanpassing van oppervlakteprocessen: Biedt gepersonaliseerde oppervlaktebehandelingsdiensten zoals ultraprecies polijsten en speciale coatings, waardoor de corrosieweerstand en de levensduur van het product aanzienlijk worden verbeterd.

4. Geverifieerde prestaties en verbeterde efficiëntie

• Bij gebruik als thermische veldcomponent in het PVT SiC-kristallisatieproces is het geverifieerd in praktische scenario's:
• De kristalgroeisnelheid wordt met 15%-20% verhoogd in vergelijking met traditionele grafietproducten, waardoor de productiecyclus aanzienlijk wordt verkort.
• De opbrengst van 4-inch SiC-eenkristalwafels bedraagt ​​meer dan 90%, waardoor de productiekosten effectief worden verlaagd.
• De onderhoudscyclus van de apparatuur wordt verlengd van de conventionele 3 maanden naar 6 maanden, waardoor de frequentie van het stilleggingsonderhoud wordt verminderd en de productie-efficiëntie wordt verbeterd.
  
  

Toepassingsscenario's

• PVT-groeiovenconstructie: dient als kerncomponent voor sublimatie van SiC-materiaal en kristalgroei, en zorgt voor een stabiele en uniforme verdeling van het thermische veld om de soepele voortgang van het kristallisatieproces te garanderen.
• Component voor thermische veldafscherming: De unieke poreuze structuur kan thermische spanning effectief bufferen, slijtage van apparatuur verminderen en de algehele levensduur van de apparatuur verlengen.
• Accessoire voor zaadkristalondersteuning: Beschikt over een hoge mechanische sterkte om zaadkristallen stabiel te ondersteunen, waardoor de precisie van gerichte kristalgroei wordt gegarandeerd.
• Gasdiffusielaag: optimaliseert de efficiëntie van de gasfase-overdracht, bevordert uniforme sublimatie en afzetting van grondstoffen en verbetert de kwaliteit en groeisnelheid van één kristal verder.

Technische parameters

Kerncompetitieve hoogtepunten

• Prestaties bij extreme hoge temperaturen: Behoudt structurele stabiliteit bij 2200 ℃ zonder verzachting of vervorming, en ondersteunt continue werking gedurende meer dan 1000 uur om aan extreme procesvereisten te voldoen.
• Aangepaste thermische veldoplossing: vertrouwt op CFD-simulatietechnologie om het poriegradiëntontwerp te optimaliseren, nauwkeurig af te stemmen op de procesbehoeften van klanten en de kristaluniformiteit en productopbrengst te verbeteren.
• Rapid Response Service: Biedt testservices voor het matchen van procesparameters en levert prototypeoplossingen binnen 72 uur, waardoor klanten R&D- en productieprocessen kunnen versnellen.