QR code
Over ons
Producten
Neem contact met ons op

Telefoon

Fax
+86-579-87223657

E-mailen

Adres
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, provincie Zhejiang, China
Bij de productie van halfgeleiders isChemisch-mechanische planarisatie(CMP) speelt een cruciale rol. Het CMP-proces combineert chemische en mechanische acties om het oppervlak van siliciumwafels glad te maken, waardoor een uniforme basis ontstaat voor daaropvolgende stappen zoals depositie van dunne films en etsen. CMP-polijstslurry, als kerncomponent van dit proces, heeft een aanzienlijke invloed op de polijstefficiëntie, oppervlaktekwaliteit en de uiteindelijke prestaties van het product. Daarom is het begrijpen van het CMP-slurrybereidingsproces essentieel voor het optimaliseren van de productie van halfgeleiders. Dit artikel onderzoekt het proces van CMP-polijstslurrybereiding en de toepassingen en uitdagingen ervan bij de productie van halfgeleiders.
Basiscomponenten van CMP-polijstslurry
CMP-polijstslurry bestaat doorgaans uit twee hoofdcomponenten: schurende deeltjes en chemische middelen.
1. Schurende deeltjes: deze deeltjes zijn meestal gemaakt van aluminiumoxide, silica of andere anorganische verbindingen en verwijderen fysiek materiaal van het oppervlak tijdens het polijstproces. De deeltjesgrootte, verdeling en oppervlakte-eigenschappen van de schuurmiddelen bepalen de verwijderingssnelheid en de oppervlakteafwerking in CMP.
2. Chemische middelen: In CMP werken de chemische componenten door het materiaaloppervlak op te lossen of chemisch te reageren. Deze middelen omvatten doorgaans zuren, basen en oxidatiemiddelen, die de wrijving helpen verminderen die nodig is tijdens het fysieke verwijderingsproces. Veel voorkomende chemische middelen zijn fluorwaterstofzuur, natriumhydroxide en waterstofperoxide.
Bovendien kan de slurry ook oppervlakteactieve stoffen, dispergeermiddelen, stabilisatoren en andere additieven bevatten om een uniforme verspreiding van de schurende deeltjes te garanderen en bezinking of agglomeratie te voorkomen.
CMP-bereidingsproces voor polijstslurry
De bereiding van CMP-slurry omvat niet alleen het mengen van schurende deeltjes en chemische middelen, maar vereist ook controlerende factoren zoals pH, viscositeit, stabiliteit en de verdeling van schuurmiddelen. Hieronder worden de typische stappen beschreven die betrokken zijn bij het bereiden van CMP-polijstslurry:
1. Selectie van geschikte schuurmiddelen
Schuurmiddelen zijn een van de meest kritische componenten van CMP-slurry. Het kiezen van het juiste type, de juiste grootteverdeling en concentratie schuurmiddelen is essentieel voor optimale polijstprestaties. De grootte van de schuurdeeltjes bepaalt de verwijderingssnelheid tijdens het polijsten. Grotere deeltjes worden doorgaans gebruikt voor het verwijderen van dikker materiaal, terwijl kleinere deeltjes zorgen voor een hogere oppervlakteafwerking.
Veel voorkomende schurende materialen zijn silica (SiO₂) en aluminiumoxide (Al₂O₃). Silicaschuurmiddelen worden veel gebruikt in CMP voor wafels op siliciumbasis vanwege hun uniforme deeltjesgrootte en matige hardheid. Aluminiumoxidedeeltjes, die harder zijn, worden gebruikt voor het polijsten van materialen met een hogere hardheid.
2. Aanpassen van de chemische samenstelling
De keuze van chemische middelen is cruciaal voor de prestaties van de CMP-slurry. Gebruikelijke chemische middelen zijn onder meer zure of alkalische oplossingen (bijvoorbeeld fluorwaterstofzuur, natriumhydroxide), die chemisch reageren met het materiaaloppervlak, waardoor de verwijdering ervan wordt bevorderd.
De concentratie en pH van de chemische middelen spelen een belangrijke rol in het polijstproces. Als de pH te hoog of te laag is, kunnen de schurende deeltjes agglomereren, wat het polijstproces negatief zou beïnvloeden. Bovendien kan de toevoeging van oxidatiemiddelen zoals waterstofperoxide de materiaalcorrosie versnellen, waardoor de verwijderingssnelheid wordt verbeterd.
3. Zorgen voor stabiliteit van de drijfmest
De stabiliteit van de mest houdt rechtstreeks verband met de prestaties ervan. Om te voorkomen dat schurende deeltjes bezinken of samenklonteren, worden dispergeermiddelen en stabilisatoren toegevoegd. De rol van dispergeermiddelen is om de aantrekkingskracht tussen deeltjes te verminderen, zodat ze gelijkmatig verdeeld blijven in de oplossing. Dit is cruciaal voor het behouden van een uniforme polijstwerking.
Stabilisatoren helpen voorkomen dat de chemische middelen voortijdig worden afgebroken of reageren, waardoor wordt verzekerd dat de slurry tijdens het hele gebruik consistente prestaties behoudt.
4. Mengen en mengen
Zodra alle componenten zijn voorbereid, wordt de slurry doorgaans gemengd of behandeld met ultrasone golven om ervoor te zorgen dat de schurende deeltjes gelijkmatig in de oplossing worden verspreid. Het mengproces moet nauwkeurig zijn om de aanwezigheid van grote deeltjes te vermijden, die de effectiviteit van het polijsten zouden kunnen aantasten.
Kwaliteitscontrole in CMP-polijstslurry
Om ervoor te zorgen dat de CMP-slurry aan de vereiste normen voldoet, wordt deze onderworpen aan strenge tests en kwaliteitscontroles. Enkele veel voorkomende kwaliteitscontrolemethoden zijn:
1. Analyse van de deeltjesgrootteverdeling:Laserdiffractie deeltjesgrootte-analysatoren worden gebruikt om de grootteverdeling van de schuurmiddelen te meten. Ervoor zorgen dat de deeltjesgrootte binnen het vereiste bereik ligt, is van cruciaal belang voor het handhaven van de gewenste verwijderingssnelheid en oppervlaktekwaliteit.
2. pH-testen:Er worden regelmatig pH-testen uitgevoerd om ervoor te zorgen dat de slurry een optimaal pH-bereik behoudt. Variaties in de pH kunnen de snelheid van chemische reacties beïnvloeden en bijgevolg de algehele prestatie van de slurry.
3. Viscositeitstesten:De viscositeit van de slurry beïnvloedt de vloei en uniformiteit ervan tijdens het polijsten. Een slurry die te stroperig is, kan de wrijving vergroten, wat leidt tot inconsistent polijsten, terwijl een slurry met een lage viscositeit het materiaal mogelijk niet effectief verwijdert.
4. Stabiliteitstesten:Langdurige opslag en centrifugatietests worden gebruikt om de stabiliteit van de slurry te beoordelen. Het doel is ervoor te zorgen dat de slurry tijdens opslag of gebruik geen bezinking of fasescheiding ondervindt.
Optimalisatie en uitdagingen van CMP-polijstslurry
Naarmate de productieprocessen van halfgeleiders evolueren, blijven de vereisten voor CMP-slurries groeien. Het optimaliseren van het mestbereidingsproces kan leiden tot een verbeterde productie-efficiëntie en een betere kwaliteit van het eindproduct.
1. Verhoging van de verwijderingssnelheid en oppervlaktekwaliteit
Door de grootteverdeling, de concentratie van schuurmiddelen en de chemische samenstelling aan te passen, kunnen de verwijderingssnelheid en de oppervlaktekwaliteit tijdens CMP worden verbeterd. Een mengsel van verschillende schuurdeeltjesgroottes kan bijvoorbeeld een efficiëntere materiaalverwijderingssnelheid bereiken en tegelijkertijd een betere oppervlakteafwerking opleveren.
2. Minimaliseren van defecten en bijwerkingen
TerwijlCMP-slurryeffectief is bij het verwijderen van materiaal, kan overmatig polijsten of een onjuiste samenstelling van de slurry leiden tot oppervlaktedefecten zoals krassen of corrosievlekken. Het is van cruciaal belang om de deeltjesgrootte, polijstkracht en chemische samenstelling zorgvuldig te controleren om deze bijwerkingen te minimaliseren.
3. Milieu- en kostenoverwegingen
Met de toenemende milieuregelgeving worden de duurzaamheid en milieuvriendelijkheid van CMP-slurries steeds belangrijker. Er wordt bijvoorbeeld onderzoek gedaan naar de ontwikkeling van milieuvriendelijke chemische middelen met een lage toxiciteit om de vervuiling tot een minimum te beperken. Bovendien kan het optimaliseren van slurryformuleringen de productiekosten helpen verlagen.


+86-579-87223657


Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, provincie Zhejiang, China
Copyright © 2024 VeTek Semiconductor Technology Co., Ltd. Alle rechten voorbehouden.
Links | Sitemap | RSS | XML | Privacy Policy |
