Producten
CMP-polijstslurry
  • CMP-polijstslurryCMP-polijstslurry

CMP-polijstslurry

CMP-polijstslurry (Chemical Mechanical Polishing Slurry) is een hoogwaardig materiaal dat wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiders en bij de precisiemateriaalverwerking. De kernfunctie ervan is het bereiken van fijne vlakheid en polijsten van het materiaaloppervlak onder het synergetische effect van chemische corrosie en mechanisch slijpen om te voldoen aan de vlakheids- en oppervlaktekwaliteitseisen op nanoniveau. Ik kijk uit naar uw verdere overleg.

De CMP-polijstslurry van Veteksemicon wordt voornamelijk gebruikt als polijstschuurmiddel in de CMP chemisch-mechanische polijstslurry voor het planariseren van halfgeleidermaterialen. Het heeft de volgende voordelen:

Vrij instelbare deeltjesdiameter en deeltjesaggregatiegraad;
De deeltjes zijn monogedispergeerd en de deeltjesgrootteverdeling is uniform;
Het dispersiesysteem is stabiel;
De massaproductieschaal is groot en het verschil tussen batches is klein;
Het is niet gemakkelijk om te condenseren en te bezinken.


Prestatie-indicatoren voor producten uit de Ultra-High Purity-serie

Parameter
Eenheid
Prestatie-indicatoren voor producten uit de Ultra-High Purity-serie

UPXY-1
UPXY-2
UPXY-3
UPXY-4
UPXY-5
UPXY-6
UPXY-7
Gemiddelde silicadeeltjesgrootte
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Grootteverdeling van nanodeeltjes (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
Oplossing pH
1 7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
Solide inhoud
% 20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
Verschijning
--
Lichtblauw
Blauw
Wit
Gebroken wit
Gebroken wit
Gebroken wit
Gebroken wit
Deeltjesmorfologie X
X: S-ferisch; B- Gebogen; P- Pindavormig; T- Bolvormig; C- Kettingachtig (geaggregeerde toestand)
Stabiliserende ionen
Organische/anorganische aminen
Grondstofsamenstelling Y
Y:M-TMOS;E-TEOS;ME-TMOS+TEOS;EM-TEOS+TMOS
Metaalverontreinigingsgehalte
≤ 300 ppb


Prestatiespecificaties voor producten uit de High Purity-serie

Parameter
Eenheid
Prestatiespecificaties voor producten uit de High Purity-serie
WGXY-1Z WGXY-2Z
WGXY-3Z
WGXY-4Z
WGXY-5Z
WGXY-6Z
WGXY-7Z
Gemiddelde silicadeeltjesgrootte
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Grootteverdeling van nanodeeltjes (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
Oplossing pH
1 90,5 ± 0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
Solide inhoud
% 30-40 30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
Verschijning
--
Lichtblauw
Blauw
Wit
Gebroken wit
Gebroken wit
Gebroken wit
Gebroken wit
Deeltjesmorfologie X
X: S-ferisch; B- Gebogen; P- Pindavormig; T- Bolvormig; C- Kettingachtig (geaggregeerde toestand)
Stabiliserende ionen
M: Organisch amine; K: Kaliumhydroxide; N: Natriumhydroxide; of andere componenten
Metaalverontreinigingsgehalte
Z: Zeer zuivere serie (H-serie≤1ppm; L-serie≤10ppm); Standaardserie (M-serie ≤300ppm)

CMP Polijstslurry Producttoepassingen:


● Geïntegreerde schakeling ILD-materialen CMP

● Geïntegreerde schakeling Poly-Si materialen CMP

● Halfgeleider monokristallijne siliciumwafelmaterialen CMP

● Halfgeleider siliciumcarbidematerialen CMP

● Geïntegreerde schakeling STI-materialen CMP

● Geïntegreerde schakeling metaal en metalen barrièrelaagmaterialen CMP


Hottags: CMP-polijstslurry
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept