Grote SiC-kristalgroeioven met weerstandsverwarming

Technische parameters

Kernvoordelen

 ● Compatibiliteit op volledige grootte

Maakt een stabiele groei mogelijk van 6-inch, 8-inch en 12-inch siliciumcarbidekristallen, volledig compatibel met geleidende, semi-isolerende en N-type materiaalsystemen. Het dekt de productiebehoeften van producten met verschillende specificaties en past zich aan diverse toepassingsscenario's aan.

● Sterke processtabiliteit

De 8-inch kristallen hebben een uitstekende 4H-polytype-consistentie, een stabiele oppervlaktevorm en een hoge herhaalbaarheid; de 12-inch siliciumcarbide-kristalgroeitechnologie heeft de verificatie voltooid met een hoge haalbaarheid voor massaproductie.

● Laag percentage kristaldefecten

Door nauwkeurige controle van temperatuur, druk en vermogen worden kristaldefecten effectief verminderd met sleutelindicatoren die voldoen aan de normen: EPD=1435 ea/cm², BPD=381 ea/cm², TSD=0 ea/cm² en TED=1054 ea/cm². Alle defectindicatoren voldoen aan de hoge eisen aan de kristalkwaliteit, waardoor de opbrengst aan gietstukken aanzienlijk wordt verbeterd.

● Beheersbare bedrijfskosten

Het heeft het laagste energieverbruik van vergelijkbare producten. Kerncomponenten (zoals thermische isolatieschilden) hebben een lange vervangingscyclus van 6-12 maanden, waardoor de uitgebreide bedrijfskosten worden verlaagd.

● Plug-and-Play-gemak

Op maat gemaakte recept- en procespakketten op basis van de kenmerken van de apparatuur, geverifieerd door langdurige en multi-batchproductie, waardoor onmiddellijke productie na installatie mogelijk is.

● Veiligheid en betrouwbaarheid

Gebruikt een speciaal anti-boogvonkontwerp om potentiële veiligheidsrisico's te elimineren; realtime monitoring en vroegtijdige waarschuwingsfuncties vermijden proactief operationele risico's.

● Uitstekende vacuümprestaties

De ultieme indicatoren voor de vacuüm- en drukstijging overtreffen internationaal toonaangevende niveaus, waardoor een schone omgeving voor kristalgroei wordt gegarandeerd.

● Intelligente bediening en onderhoud

Beschikt over een intuïtieve HMI-interface gecombineerd met uitgebreide gegevensregistratie, ter ondersteuning van optionele functies voor bewaking op afstand voor efficiënt en gemakkelijk productiebeheer.

Visuele weergave van kernprestaties

Nauwkeurigheidscurve temperatuurregeling

Nauwkeurigheid van de temperatuurregeling van de kristalgroeioven ≤ ±0,3°C; Overzicht van de temperatuurcurve

Nauwkeurigheidsgrafiek drukregeling

Nauwkeurigheid drukregeling van de kristalgroeioven: 1,0 Torr, Nauwkeurigheid drukregeling: 0,001 Torr

Precisie van vermogensstabiliteit

Stabiliteit en consistentie tussen ovens/batches: de stabiliteitsnauwkeurigheid van vermogen

Onder de kristalgroeistatus bedraagt ​​de nauwkeurigheid van de vermogensregeling tijdens stabiele kristalgroei ±0,15%.

Veteksemicon-productenwinkel