Producten

De CVD SIC-gecoate wafer-susceptor van VetEkSemicon is een geavanceerde oplossing voor halfgeleider-epitaxiale processen, die ultra-hoge zuiverheid biedt (≤100PPB, ICP-E10 gecertificeerd) en uitzonderlijke thermische/chemische stabiliteit voor de contaminatie-resistentgroei van GAN, SIC en silicon-gebaseerde EPI-layers. Het is ontworpen met precisie CVD -technologie, ondersteunt Wafels van 6 "/8"/12 ", zorgt voor minimale thermische spanning en bestand tegen extreme temperaturen tot 1600 ° C.

Onze SIC -gecoate planetaire susceptor is een kerncomponent in het hoge temperatuurproces van de productie van halfgeleiders. Het ontwerp combineert grafietsubstraat met siliciumcarbide -coating om een ​​uitgebreide optimalisatie van thermische beheerprestaties, chemische stabiliteit en mechanische sterkte te bereiken.

Onze poreuze SIC -keramische platen zijn poreuze keramische materialen gemaakt van siliciumcarbide als de belangrijkste component en verwerkt door speciale processen. Het zijn onmisbare materialen in de productie van halfgeleiders, chemische dampafzetting (CVD) en andere processen.

Onze SIC-gecoate afdichtring voor Epitaxy is een krachtige afdichtingscomponent op basis van grafiet of koolstof-koolstofcomposieten bedekt met hoogzuiver siliciumcarbide (SIC) door chemische dampdepositie (CVD), die de thermische stabiliteit van grafiet combineert met de extreme milieuweerstand van SIC en is ontworpen voor semiconductor-apparatuur (e.g., MOCVD, MOCVD, MOCVD, MOCVD, MOCVD).

Onze boot met hoge zuiverheidskwarts is gemaakt van gesmolten kwarts (SIO₂ -gehalte ≥ 99,99%). Met zijn uitstekende weerstand tegen extreme omgevingen, lage thermische expansiecoëfficiënt en lange levenscyclus, is het een onvervangbare sleutel geworden die kan worden verbruikbaar in de halfgeleider en nieuwe energie -industrie.

Focusring voor etsen is het belangrijkste onderdeel om procesnauwkeurigheid en stabiliteit te waarborgen. Deze componenten worden nauwkeurig geassembleerd in een vacuümkamer om uniforme bewerking van nanoschaalstructuren op het wafeloppervlak te bereiken door precieze controle van plasmadistributie, randtemperatuur en uniformiteit van elektrische veld.