Producten

Producten

View as  
 
Epitaxiale reactorkamer met SiC-coating

Epitaxiale reactorkamer met SiC-coating

De Veteksemicon SiC-gecoate epitaxiale reactorkamer is een kerncomponent die is ontworpen voor veeleisende epitaxiale groeiprocessen van halfgeleiders. Door gebruik te maken van geavanceerde chemische dampafzetting (CVD) vormt dit product een dichte, zeer zuivere SiC-coating op een zeer sterk grafietsubstraat, wat resulteert in superieure stabiliteit bij hoge temperaturen en corrosieweerstand. Het is effectief bestand tegen de corrosieve effecten van reactantgassen in procesomgevingen met hoge temperaturen, onderdrukt deeltjesverontreiniging aanzienlijk, zorgt voor een consistente epitaxiale materiaalkwaliteit en hoge opbrengst, en verlengt aanzienlijk de onderhoudscyclus en levensduur van de reactiekamer. Het is een belangrijke keuze voor het verbeteren van de productie-efficiëntie en betrouwbaarheid van halfgeleiders met een grote bandafstand, zoals SiC en GaN.
Siliciumcassetteboot

Siliciumcassetteboot

De Silicon Cassette Boat van Veteksemicon is een nauwkeurig ontworpen waferdrager die speciaal is ontwikkeld voor halfgeleideroventoepassingen bij hoge temperaturen, waaronder oxidatie, diffusie, drive-in en gloeien. Het is vervaardigd uit ultrazuiver silicium en afgewerkt volgens geavanceerde normen voor verontreinigingsbeheersing. Het biedt een thermisch stabiel, chemisch inert platform dat nauw aansluit bij de eigenschappen van siliciumwafels zelf. Deze uitlijning minimaliseert thermische spanning, vermindert slip- en defectvorming en zorgt voor een uitzonderlijk uniforme warmteverdeling door de batch
EPI-ontvangeronderdelen

EPI-ontvangeronderdelen

In het kernproces van epitaxiale groei van siliciumcarbide begrijpt Veteksemicon dat de prestaties van de susceptor rechtstreeks de kwaliteit en productie-efficiëntie van de epitaxiale laag bepalen. Onze zeer zuivere EPI-susceptoren, speciaal ontworpen voor het SiC-veld, maken gebruik van een speciaal grafietsubstraat en een dichte CVD SiC-coating. Met hun superieure thermische stabiliteit, uitstekende corrosieweerstand en extreem lage deeltjesgeneratie garanderen ze een ongeëvenaarde dikte en doteringsuniformiteit voor klanten, zelfs in zware procesomgevingen met hoge temperaturen. Kiezen voor Veteksemicon betekent kiezen voor de hoeksteen van betrouwbaarheid en prestaties voor uw geavanceerde halfgeleiderproductieprocessen.
SiC-gecoate grafiet susceptor voor ASM

SiC-gecoate grafiet susceptor voor ASM

Veteksemicon SiC-gecoate grafiet susceptor voor ASM is een kerndragercomponent in epitaxiale halfgeleiderprocessen. Dit product maakt gebruik van onze gepatenteerde pyrolytische siliciumcarbide-coatingtechnologie en precisiebewerkingsprocessen om superieure prestaties en een ultralange levensduur te garanderen in hoge temperaturen en corrosieve procesomgevingen. We begrijpen de strenge eisen van epitaxiale processen op het gebied van substraatzuiverheid, thermische stabiliteit en consistentie zeer goed, en streven ernaar klanten stabiele, betrouwbare oplossingen te bieden die de algehele prestaties van de apparatuur verbeteren.
Halfgeleider kwartskroes

Halfgeleider kwartskroes

Veteksemicon kwartskroezen van halfgeleiderkwaliteit zijn belangrijke verbruiksartikelen in het Czochralski-groeiproces voor éénkristal. Met extreme zuiverheid en superieure thermische stabiliteit als onze kernfocus, streven we ernaar klanten producten van hoge kwaliteit te bieden die stabiele prestaties en uitstekende weerstand tegen kristallisatie onder omgevingen met hoge temperaturen en hoge druk vertonen. Dit garandeert de kwaliteit van de kristalstaven vanaf de bron, waardoor de productie van halfgeleider-siliciumwafels hogere opbrengsten en een betere kosteneffectiviteit kan realiseren.
Siliciumcarbide scherpstelring

Siliciumcarbide scherpstelring

Veteksemicon focusring is speciaal ontworpen voor veeleisende halfgeleideretsapparatuur, met name SiC-etstoepassingen. Gemonteerd rond de elektrostatische klem (ESC), dicht bij de wafer, heeft de primaire functie het optimaliseren van de elektromagnetische veldverdeling binnen de reactiekamer, waardoor een uniforme en gerichte plasmaactie over het gehele waferoppervlak wordt gegarandeerd. Een hoogwaardige focusring verbetert de uniformiteit van de etssnelheid aanzienlijk en vermindert randeffecten, waardoor de productopbrengst en productie-efficiëntie direct worden verhoogd.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies. Privacybeleid
Afwijzen Accepteren