Producten
Epitaxiale reactorkamer met SiC-coating
  • Epitaxiale reactorkamer met SiC-coatingEpitaxiale reactorkamer met SiC-coating

Epitaxiale reactorkamer met SiC-coating

De Veteksemicon SiC-gecoate epitaxiale reactorkamer is een kerncomponent die is ontworpen voor veeleisende epitaxiale groeiprocessen van halfgeleiders. Door gebruik te maken van geavanceerde chemische dampafzetting (CVD) vormt dit product een dichte, zeer zuivere SiC-coating op een zeer sterk grafietsubstraat, wat resulteert in superieure stabiliteit bij hoge temperaturen en corrosieweerstand. Het is effectief bestand tegen de corrosieve effecten van reactantgassen in procesomgevingen met hoge temperaturen, onderdrukt deeltjesverontreiniging aanzienlijk, zorgt voor een consistente epitaxiale materiaalkwaliteit en hoge opbrengst, en verlengt aanzienlijk de onderhoudscyclus en levensduur van de reactiekamer. Het is een belangrijke keuze voor het verbeteren van de productie-efficiëntie en betrouwbaarheid van halfgeleiders met een grote bandafstand, zoals SiC en GaN.

Algemene productinformatie

Plaats van herkomst:
China
Merknaam:
Mijn rivaal
Modelnummer:
Met SiC gecoate epitaxiale reactorkamer-01
Certificering:
ISO9001

Zakelijke voorwaarden voor producten

Minimale bestelhoeveelheid:
Onder voorbehoud van onderhandeling
Prijs:
Neem contact op voor een offerte op maat
Verpakkingsdetails:
Standaard exportpakket
Levertijd:
Levertijd: 30-45 dagen na orderbevestiging
Betalingsvoorwaarden:
T/T
Leveringscapaciteit:
100 eenheden/maand

Sollicitatie: Veteksemicon SiC-gecoate epitaxiale reactorkamer is ontworpen voor veeleisende epitaxiale halfgeleiderprocessen. Door een extreem zuivere en stabiele omgeving met hoge temperaturen te bieden, verbetert het de kwaliteit van epitaxiale SiC- en GaN-wafels aanzienlijk, waardoor het een belangrijke hoeksteen wordt voor de productie van krachtige stroomchips en RF-apparaten.

Diensten die geleverd kunnen worden: scenarioanalyse van klanttoepassingen, matchen van materialen, oplossen van technische problemen.

Bedrijfsprofiel:Veteksemicon heeft 2 laboratoria, een team van experts met 20 jaar materiaalervaring, met R&D- en productie-, test- en verificatiemogelijkheden.


Technische parameters

Project
Parameter
Basismateriaal
Grafiet met hoge sterkte
Coatingproces
CVD SiC-coating
Dikte van de coating
Maatwerk is mogelijk om aan het klantproces te voldoenvereisten (typische waarde: 100 ± 20 μm).
Zuiverheid
> 99,9995% (SiC-coating)
Maximale bedrijfstemperatuur
> 1650°C
thermische geleidbaarheid
120 W/m·K
Toepasbare processen
SiC-epitaxie, GaN-epitaxie, MOCVD/CVD
Compatibele apparaten
Reguliere epitaxiale reactoren (zoals Aixtron en ASM)


Mijn rivaal SiC-gecoate epitaxiale kernvoordelen van de reactorkamer


1. Supercorrosieweerstand

De reactiekamer van Veteksemicon maakt gebruik van een gepatenteerd CVD-proces om een ​​extreem dichte, zeer zuivere siliciumcarbidecoating op het substraatoppervlak aan te brengen. Deze coating is effectief bestand tegen de erosie van corrosieve gassen bij hoge temperaturen zoals HCl en H2, die vaak voorkomen bij epitaxiale SiC-processen, waardoor de problemen van oppervlakteporositeit en deeltjesafscheiding die kunnen optreden in traditionele grafietcomponenten na langdurig gebruik fundamenteel worden opgelost. Deze eigenschap zorgt ervoor dat de binnenwand van de reactiekamer zelfs na honderden uren continu gebruik glad blijft, waardoor wafeldefecten veroorzaakt door kamerverontreiniging aanzienlijk worden verminderd.


2. Stabiliteit bij hoge temperaturen

Dankzij de uitstekende thermische eigenschappen van siliciumcarbide is deze reactiekamer gemakkelijk bestand tegen continue bedrijfstemperaturen tot 1600°C. De extreem lage thermische uitzettingscoëfficiënt zorgt ervoor dat de componenten de accumulatie van thermische spanning tijdens herhaalde snelle verwarming en koeling minimaliseren, waardoor microscheuren of structurele schade veroorzaakt door thermische vermoeidheid worden voorkomen. Deze uitstekende thermische stabiliteit biedt een cruciaal procesvenster en betrouwbaarheidsgarantie voor epitaxiale processen, met name SiC-homo-epitaxie waarvoor omgevingen met hoge temperaturen nodig zijn.


3. Hoge zuiverheid en lage vervuiling

We zijn ons terdege bewust van de beslissende impact van de kwaliteit van de epitaxiale laag op de uiteindelijke prestaties van het apparaat. Daarom streeft Veteksemicon naar de hoogst mogelijke coatingzuiverheid, waardoor deze een niveau van meer dan 99,9995% bereikt. Een dergelijke hoge zuiverheid onderdrukt effectief de migratie van metallische onzuiverheden (zoals Fe, Cr, Ni, enz.) naar de procesatmosfeer bij hoge temperaturen, waardoor de fatale impact van deze onzuiverheden op de kwaliteit van het epitaxiale laagkristal wordt vermeden. Dit legt een solide materiële basis voor de productie van hoogwaardige, uiterst betrouwbare vermogenshalfgeleiders en radiofrequentieapparaten.


4. Ontwerp met lange levensuur

Vergeleken met ongecoate of conventionele grafietcomponenten bieden reactiekamers beschermd door SiC-coatings een meerdere malen langere levensduur. Dit is voornamelijk te danken aan de uitgebreide bescherming van het substraat door de coating, waardoor direct contact met corrosieve procesgassen wordt voorkomen. Deze langere levensduur vertaalt zich direct in aanzienlijke kostenvoordelen: klanten kunnen de uitvaltijd van apparatuur, de aanschaf van reserveonderdelen en de arbeidskosten voor onderhoud die gepaard gaan met periodieke vervanging van kamercomponenten aanzienlijk verminderen, waardoor de totale productiekosten effectief worden verlaagd.


5. Aantekening ecologische ketenverificatie

De ecologische ketenverificatie van Veteksemicon SiC-gecoate epitaxiale reactorkamer omvat grondstoffen tot productie, is geslaagd voor de internationale standaardcertificering en beschikt over een aantal gepatenteerde technologieën om de betrouwbaarheid en duurzaamheid ervan op het gebied van halfgeleiders en nieuwe energie te garanderen.


Voor gedetailleerde technische specificaties, whitepapers of voorbeeldtestregelingen kunt u contact opnemen met ons technische ondersteuningsteam om te onderzoeken hoe Veteksemicon uw procesefficiëntie kan verbeteren.


Belangrijkste toepassingsgebieden

Toepassing richting
Typisch scenario
Productie van vermogenshalfgeleiders
SiC MOSFET en diode epitaxiale groei
RF-apparaten
GaN-op-SiC epitaxiaal proces van RF-apparaat
Opto-elektronica
LED- en laser epitaxiale substraatverwerking

Hottags: Epitaxiale reactorkamer met SiC-coating
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies. Privacybeleid
Afwijzen Accepteren