CVD TaC-gecoate susceptor

Productdefinitie en samenstelling

De VETEK CVD TaC gecoate susceptor is een hoogwaardige waferdragercomponent die specifiek wordt gebruikt voor epitaxiale halfgeleiderverwerking van de derde generatie (SiC, GaN, AlN). Dit product combineert de fysieke voordelen van twee hoogwaardige materialen:

Hoogzuiver grafietsubstraat: Maakt gebruik van een isostatisch persvormproces om ervoor te zorgen dat het substraat superieure structurele sterkte, hoge dichtheid en thermische verwerkingsstabiliteit bezit.

CVD TaC-coating: Een dichte, spanningsvrije Tantalum Carbide (TaC) beschermlaag wordt op het grafietoppervlak aangebracht door middel van geavanceerde Chemical Vapour Deposition (CVD) technologie.

Belangrijkste technische voordelen: Buitengewoon aanpassingsvermogen aan extreme omgevingen

In het MOCVD-proces is de TaC-coating niet alleen een fysieke beschermlaag, maar ook de kern van het garanderen van procesherhaalbaarheid:

Tolerantie voor extreem hoge temperaturen: TaC heeft een smeltpunt van wel 3880°C, waardoor een uitstekende vormstabiliteit behouden blijft, zelfs bij epitaxiale processen bij ultrahoge temperaturen boven 1600°C.

Uitstekende corrosiebestendigheid: In sterk reducerende omgevingen die NH₃ (Ammoniak) of H₂ (Waterstof) bevatten, is de corrosiesnelheid van TaC extreem laag, waardoor substraatverlies en neerslag van onzuiverheden effectief wordt voorkomen.

Garantie voor ultrahoge zuiverheid: De zuiverheid van de coating bedraagt ​​maar liefst 99,9995%. De dichte structuur sluit grafietmicroporiën volledig af, waardoor de epitaxiale film extreem lage onzuiverheidsniveaus bereikt.

Nauwkeurige thermische veldverdeling: De geoptimaliseerde coatingcontroletechnologie van VETEK zorgt ervoor dat het temperatuurverschil van het susceptoroppervlak binnen ± 2 ° C wordt geregeld, waardoor de dikte en golflengteconsistentie van de epitaxiale waferlaag aanzienlijk worden verbeterd.

Technische parameters

Tantaalcarbide (TaC) coating op een microscopische dwarsdoorsnede:

Kerntoepassingsvelden

Epitaxiale groei van SiC (siliciumcarbide).: Ondersteunt de productie van SiC-voedingsapparaten van 6 inch, 8 inch en groter.

Op GaN (galliumnitride) gebaseerde apparaten: Gebruikt in MOCVD-processen voor LED's met hoge helderheid, HEMT-vermogensapparaten en RF-chips.

AlN (aluminiumnitride) en UVC-groei: Biedt drageroplossingen voor extreem hoge temperaturen (1400°C+) voor materialen met een ultrabrede bandafstand, zoals diepe UV-LED's.

Onderzoeksondersteuning op maat: Past zich aan de precisie-aanpassingsbehoeften van onderzoeksinstituten aan voor verschillende onregelmatige onderdelen en schijven met meerdere gaten.

Compatibele modellen en aanpassingsservices

VETEK beschikt over nauwkeurige mechanische verwerkings- en coatingmogelijkheden, die zich perfect aanpassen aan de wereldwijde reguliere MOCVD-apparatuur:

AIXTRON: Ondersteunt verschillende planetaire rotatieschijven en bases.

Veeco: Ondersteunt K465i, Propel en andere verticale susceptorseries.

AMEC en anderen: Biedt volledig compatibele vervangende onderdelen of upgrade-oplossingen.