Aixtron G10 Solid SiC planetaire reactorcomponenten

1. Belangrijkste kenmerken en voordelen

• Volledig dichte, bindmiddelvrije structuur van massief SiC voor superieure slijtvastheid en corrosiebestendigheid

• Uitstekende thermische geleidbaarheid en thermische schokbestendigheid bij temperaturen boven 1500 °C

• Ultralage deeltjesgeneratie en hoge zuiverheid, waardoor het besmettingsrisico wordt geminimaliseerd

• Uitstekende chemische inertie tegen procesgassen die worden gebruikt bij SiC-epitaxie

• Lange levensduur bij herhaalde cycli bij hoge temperaturen

• Nauwkeurig bewerkt met nauwe maattoleranties voor een betrouwbare pasvorm en processtabiliteit

 2. Typische toepassingen

Deze Solid SiC-accessoires worden gebruikt in belangrijke functionele gebieden van de Aixtron G10-reactor, waaronder:

• Afdekplaten en geselecteerde afdekelementen

• Beschermringen en slijtvaste componenten

• Precisiepennen, ringen en kleine structurele onderdelen

• Andere op maat gemaakte inzetstukken met een hoge zuiverheid die worden blootgesteld aan een intense gasstroom of thermische belasting

Ze ondersteunen een stabiele temperatuurverdeling, uniforme gastoevoer en lage defectdichtheid tijdens epitaxiale SiC-groei met hoog volume voor vermogens-MOSFET's, diodes en gerelateerde apparaten met een brede bandafstand.

3. Waarom kiezen voor VeTek Solid SiC voor Aixtron G10?

Als gespecialiseerde fabrikant van materialen van halfgeleiderkwaliteit biedt VeTek Semiconductor:

• Hoogzuivere massieve SiC-componenten op maat gemaakt voor Aixtron G10-systemen, bijvoorbeeld: afdekring, binnen-/buitenafdekkingen, naar beneden trekkende/steunplaat, satellietschijf, susceptor

• Strenge zuiverheidscontrole en nauwkeurige CNC-bewerking

• Aanvullende oplossingen, waaronder CVD SiC-gecoate grafiet- en TaC-gecoate onderdelen voor volledige thermische velddekking

• Maatwerkontwerpen afgestemd op specifieke procesomstandigheden en reactorconfiguraties

Onze Solid SiC-accessoires helpen klanten de productiviteitsvoordelen van het Aixtron G10-platform te maximaliseren (hoge waferoutput, uitstekende dikte en doteringsuniformiteit en concurrerende exploitatiekosten), terwijl ze de levensduur van componenten verlengen en deeltjesgerelateerd opbrengstverlies verminderen.