Producten

Oxidatie- en diffusie -oven

View as  
 
Sic keramiekmembraan

Sic keramiekmembraan

Veteksemicon SIC -keramiekmembranen zijn een type anorganisch membraan en behoren tot vaste membraanmaterialen in membraanscheidingstechnologie. SIC -membranen worden afgevuurd op een temperatuur boven 2000 ℃. Het oppervlak van de deeltjes is glad en rond. Er zijn geen gesloten poriën of kanalen in de ondersteuningslaag en elke laag. Ze zijn meestal samengesteld uit drie lagen met verschillende poriegroottes.
Poreuze SIC keramische plaat

Poreuze SIC keramische plaat

Onze poreuze SIC -keramische platen zijn poreuze keramische materialen gemaakt van siliciumcarbide als de belangrijkste component en verwerkt door speciale processen. Het zijn onmisbare materialen in de productie van halfgeleiders, chemische dampafzetting (CVD) en andere processen.
Sic keramiek wafelboot

Sic keramiek wafelboot

Vetek Semiconductor is een toonaangevende SIC Ceramics Wafer Boat Leverancier, fabrikant en fabriek in China. Onze SIC Ceramics Wafer -boot is een essentieel onderdeel in geavanceerde waferafhandelingsprocessen, gericht op de fotovoltaïsche, elektronica- en halfgeleiderindustrie. Ik kijk uit naar uw consult.
Siliconen carbide keramische wafelboot

Siliconen carbide keramische wafelboot

VeTek Semiconductor is gespecialiseerd in het leveren van hoogwaardige waferboten, sokkels en op maat gemaakte waferdragers in verticale/kolom- en horizontale configuraties om te voldoen aan verschillende halfgeleiderprocesvereisten. Als toonaangevende fabrikant en leverancier van siliciumcarbidecoatingfilms wordt onze keramische waferboot van siliciumcarbide door de Europese en Amerikaanse markten gewaardeerd vanwege hun hoge kosteneffectiviteit en uitstekende kwaliteit, en worden ze veel gebruikt in geavanceerde halfgeleiderproductieprocessen. VeTek Semiconductor streeft naar langdurige en stabiele samenwerkingsrelaties met wereldwijde klanten, en hoopt vooral uw betrouwbare halfgeleiderprocespartner in China te worden.
Siliconencarbide (SIC) Cantilever -paddle

Siliconencarbide (SIC) Cantilever -paddle

De rol van Silicon Carbide (SiC) Cantilever Paddle in de halfgeleiderindustrie is het ondersteunen en transporteren van wafers. Bij processen bij hoge temperaturen, zoals diffusie en oxidatie, kan de SiC-cantileverpeddel stabiel waferboten en wafers vervoeren zonder vervorming of schade als gevolg van hoge temperaturen, waardoor een soepel verloop van het proces wordt gegarandeerd. Het uniformer maken van diffusie, oxidatie en andere processen is cruciaal voor het verbeteren van de consistentie en opbrengst van waferverwerking. VeTek Semiconductor maakt gebruik van geavanceerde technologie om SiC-cantileverpaddles te bouwen met zeer zuiver siliciumcarbide om ervoor te zorgen dat wafers niet worden vervuild. VeTek Semiconductor kijkt uit naar een langdurige samenwerking met u op het gebied van Silicon Carbide (SiC) Cantilever Paddle-producten.
Siliciumcarbide waferdrager

Siliciumcarbide waferdrager

Als professionele leverancier van siliciumcarbide-wafeldragers in China is VeTek Semiconductor SiC-wafeldrager een hulpmiddel dat speciaal wordt gebruikt voor het hanteren en verwerken van halfgeleiderwafels, dat een onvervangbare rol speelt in het halfgeleiderwafelproces. Welkom bij uw verdere consultatie.

Shop high-performance Oxidation and Diffusion Furnace components at Veteksemicon—your trusted source for SiC-based thermal process solutions.


Veteksemicon supplies premium-grade silicon carbide (SiC) components designed specifically for oxidation and diffusion furnace systems in semiconductor manufacturing. These SiC parts exhibit excellent thermal shock resistance, high mechanical strength, and long-term dimensional stability in ultra-high-temperature and oxidizing environments. Ideal for process temperatures exceeding 1200°C, they are widely used in atmospheric and low-pressure diffusion systems, oxidation furnaces, and vertical thermal reactors.


Our product portfolio includes SiC cantilevers, boats, support rods, and tube liners, all engineered for precise wafer positioning and minimal particle contamination. The low thermal expansion coefficient of SiC helps maintain alignment across thermal cycles, while its chemical inertness ensures compatibility with O₂, N₂, H₂, and dopant gases. Whether for dry oxidation or dopant diffusion (e.g., phosphorus or boron), Veteksemicon’s diffusion furnace solutions enhance process stability, extend maintenance intervals, and support 200mm/300mm wafer formats.


For technical drawings, material datasheets, or quotation support, please visit Veteksemicon’s Oxidation and Diffusion Furnace product page or contact our application engineers.


X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies.Privacybeleid