Nieuws

Deze blog neemt "hoe poreus grafiet de groei van het siliciumcarbide -kristal verhoogt?" Als thema, en bespreekt in detail poreuze grafiet -belangrijke afhaalrestaurants, de rol van siliciumcarbide in halfgeleidertechnologie, unieke eigenschappen van poreus grafiet, hoe poreus grafiet het PVT -proces, innovaties in poreuze grafietmaterialen en andere hoeken optimaliseert.

Deze blog bespreekt de specifieke toepassingen van kunstmatige intelligentie op het gebied van CVD uit twee aspecten: de betekenis en uitdagingen van chemische dampdepositie (CVD) -technologie in natuurkunde en CVD -technologie en machine learning.

Deze blog neemt "wat is siC-gecoate grafiet susceptor?" als thema, en bespreekt het vanuit de perspectieven van epitaxiale laag en zijn apparatuur, belang van SiC -gecoate grafiet susceptor in CVD -apparatuur, SIC -coatingtechnologie, marktconcurrentie en de technologische innovatie van Vetek Semiconductor.

Wat is poreuze grafiet met veel zuiverheid? - Vetek, deze blog introduceert voornamelijk het specifieke werkingsprincipe van poreuze grafiet met een hoog zuiverheid voor SiC-groei van enkele kristal volgens de PVT-methode.

Kwartsmateriaal is een van de essentiële materialen voor hightech-industrieën zoals halfgeleiders en fotovoltaïsche. Deze blog introduceert 's werelds top drie kwarts materiaalleveranciers Sibelco, TQC en Momentive en hun producten.

Deze blog neemt "Wat is siliciumcarbide kristalgroei?" als thema en biedt een gedetailleerde analyse van vier dimensies: het principe van siliciumcarbide kristalgroei, de kristalstructuur van SiC, Physical Vapor Transport -methode (PVT) en de stappenstroomgroei om enkel kristal te laten groeien.

Deze blog neemt "Wat is het epitaxiale proces?" als thema, en biedt een gedetailleerde analyse van de dimensies van overzicht van epitaxiale processen, soorten epitaxie, factoren die het EPI -proces beïnvloeden, epitaxiale groeipechnieken, EPI -groeimodi en het belang van epitaxie groei.

Met het thema van "Hoe hoogwaardige kristalgroei te bereiken? - SIC Crystal Growth Furnace", voert deze blog een gedetailleerde analyse uit van vier dimensies: het basisprincipe van siliciumcarbide kristalgroei -oven, de structuur van de silicium carbide kristallen groei -oven, technische moeilijkheden van silicium carbide kristallen groei -oven en ruwe materialen voor groeiende hoogwaardige sic -sic -sic -kristallen.

De vier krachtigste grafietfabrikanten ter wereld: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen en hun overeenkomstige typische grafiet- en toepassingsgebieden.

Het artikel beschrijft de uitstekende fysieke eigenschappen van koolstofgevoel, de specifieke redenen voor het kiezen van SIC -coating en de methode en het principe van SIC -coating op koolstofgevoel. Het analyseert ook specifiek het gebruik van D8 Advance röntgendiffractometer (XRD) om de fasesamenstelling van SIC-coating koolstofgevoel te analyseren.

De belangrijkste methoden voor het kweken van SIC enkele kristallen zijn: fysisch damptransport (PVT), chemische dampafzetting met hoge temperatuur (HTCVD) en groei van hoge temperatuur oplossingen (HTSG).

Met de ontwikkeling van de fotovoltaïsche industrie van zonne -energie zijn diffusieveranden en LPCVD -ovens de belangrijkste apparatuur voor de productie van zonnecellen, die direct de efficiënte prestaties van zonnecellen beïnvloeden. Op basis van de uitgebreide productprestaties en gebruikskosten hebben siliciumcarbide -keramische materialen meer voordelen op het gebied van zonnecellen dan kwartsmaterialen. De toepassing van siliciumcarbide keramische materialen in de fotovoltaïsche industrie kan aanzienlijk helpen bij het verlagen van fotovoltaïsche ondernemingen de investeringskosten voor hulpmateriaal, de productkwaliteit en het concurrentievermogen verbeteren. De toekomstige trend van siliciumcarbide keramische materialen in het fotovoltaïsche veld is voornamelijk in de richting van een hogere zuiverheid, een sterkere belastingdragende capaciteit, hogere laadcapaciteit en lagere kosten.

Het artikel analyseert de specifieke uitdagingen waarmee het CVD -TAC -coatingproces wordt geconfronteerd voor SIC enkele kristalgroei tijdens halfgeleiderverwerking, zoals materiaalbron en zuiverheidscontrole, procesparameteroptimalisatie, coatingadhesie, apparatuuronderhoud en processtabiliteit, milieubescherming en kostenbeheersing, AS evenals de bijbehorende industrieoplossingen.

Vanuit het applicatieperspectief van SIC -groei van enkele kristal, vergelijkt dit artikel de fysieke basisparameters van TAC -coating en SIC -coating, en verklaart de basisvoordelen van TAC -coating over SIC -coating in termen van hoge temperatuurweerstand, sterke chemische stabiliteit, verminderde onzuiverheden en lagere kosten.

Er zijn veel soorten meetapparatuur in de Fab Factory. Gemeenschappelijke apparatuur omvat meetapparatuur voor lithografieproces, etsprocesmetingapparatuur, dunne filmafzettingsprocesmetingapparatuur, dopingprocesmetingapparatuur, CMP -procesmetingapparatuur, wafeldeeltjesdetectieapparatuur en andere meetapparatuur.

Tantaalcarbide (TaC)-coating kan de levensduur van grafietonderdelen aanzienlijk verlengen door de weerstand tegen hoge temperaturen, corrosieweerstand, mechanische eigenschappen en thermische beheermogelijkheden te verbeteren. De hoge zuiverheidseigenschappen verminderen de verontreiniging door onzuiverheden, verbeteren de kwaliteit van de kristalgroei en verbeteren de energie-efficiëntie. Het is geschikt voor halfgeleiderproductie en kristalgroeitoepassingen in omgevingen met hoge temperaturen en zeer corrosieve omstandigheden.