Nieuws

De belangrijkste methoden voor het kweken van SIC enkele kristallen zijn: fysisch damptransport (PVT), chemische dampafzetting met hoge temperatuur (HTCVD) en groei van hoge temperatuur oplossingen (HTSG).

Met de ontwikkeling van de fotovoltaïsche industrie van zonne -energie zijn diffusieveranden en LPCVD -ovens de belangrijkste apparatuur voor de productie van zonnecellen, die direct de efficiënte prestaties van zonnecellen beïnvloeden. Op basis van de uitgebreide productprestaties en gebruikskosten hebben siliciumcarbide -keramische materialen meer voordelen op het gebied van zonnecellen dan kwartsmaterialen. De toepassing van siliciumcarbide keramische materialen in de fotovoltaïsche industrie kan aanzienlijk helpen bij het verlagen van fotovoltaïsche ondernemingen de investeringskosten voor hulpmateriaal, de productkwaliteit en het concurrentievermogen verbeteren. De toekomstige trend van siliciumcarbide keramische materialen in het fotovoltaïsche veld is voornamelijk in de richting van een hogere zuiverheid, een sterkere belastingdragende capaciteit, hogere laadcapaciteit en lagere kosten.

Het artikel analyseert de specifieke uitdagingen waarmee het CVD -TAC -coatingproces wordt geconfronteerd voor SIC enkele kristalgroei tijdens halfgeleiderverwerking, zoals materiaalbron en zuiverheidscontrole, procesparameteroptimalisatie, coatingadhesie, apparatuuronderhoud en processtabiliteit, milieubescherming en kostenbeheersing, AS evenals de bijbehorende industrieoplossingen.

Vanuit het applicatieperspectief van SIC -groei van enkele kristal, vergelijkt dit artikel de fysieke basisparameters van TAC -coating en SIC -coating, en verklaart de basisvoordelen van TAC -coating over SIC -coating in termen van hoge temperatuurweerstand, sterke chemische stabiliteit, verminderde onzuiverheden en lagere kosten.