MOCVD-technologie

De SIC -gecoate MoCVD -susceptor van Veteksemicon is een apparaat met uitstekend proces, duurzaamheid en betrouwbaarheid. Ze kunnen bestand zijn tegen hoge temperatuur en chemische omgevingen, stabiele prestaties en een lange levensduur behouden, waardoor de frequentie van vervanging en onderhoud wordt verminderd en de productie -efficiëntie wordt verbeterd. Onze MOCVD -epitaxiale susceptor staat bekend om zijn hoge dichtheid, uitstekende vlakheid en uitstekende thermische controle, waardoor het de voorkeursapparatuur is in harde productieomgevingen. Ik kijk ernaar uit om met u samen te werken. Welkom om op elk gewenst moment te raadplegen.

De op silicium gebaseerde GaN epitaxiale Susceptor is het kernonderdeel dat nodig is voor de GaN epitaxiale productie. Veteksemicon op silicium gebaseerde GaN epitaxiale susceptor is speciaal ontworpen voor op silicium gebaseerd GaN epitaxiaal reactorsysteem, met voordelen zoals hoge zuiverheid, uitstekende weerstand tegen hoge temperaturen en corrosieweerstand. Stem in met uw verder overleg.