Producten
CVD siliciumcarbide (SiC) gecoate RTP-susceptor
  • CVD siliciumcarbide (SiC) gecoate RTP-susceptorCVD siliciumcarbide (SiC) gecoate RTP-susceptor

CVD siliciumcarbide (SiC) gecoate RTP-susceptor

De CVD SiC-gecoate RTP-susceptor van VeTek Semiconductor is bedoeld voor apparatuur voor snelle thermische verwerking (RTP) en snelle thermische gloeiing (RTA) die wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiders. Het substraat is vervaardigd uit zeer zuiver isostatisch grafiet, waarover een dichte CVD-laag siliciumcarbide (SiC) is afgezet. Deze constructie levert een hoge thermische geleidbaarheid, robuuste chemische inertheid en aanhoudende maatvastheid op bij herhaalde cycli bij hoge temperaturen.

Functies

  • Therma Uniformiteit – De hoge thermische eigenschappen van het materiaal diffusiviteit maakt een snelle, ruimtelijk uniforme warmteoverdracht mogelijk, waardoor herhaalbare wafertemperatuurprofielen worden ondersteund.
  • Hoog zuiverheidsniveau – De CVD SiC-coating bereikt een zuiverheid van 99,99995%, waardoor de risico’s van mobiele ionen- en metaalverontreiniging in kritische processtappen effectief worden verminderd.
  • Chemische duurzaamheid – De coating vertoont een sterke weerstand tegen corrosieve stoffen, waaronder gassen op halogeenbasis, bij hogere temperaturen.l Langere onderhoudsintervallen – Verbeterde oxidatie- en slijtvastheid vertalen zich in minder vervangingen en minder uitvaltijd van gereedschappen.
  • Ontwerpflexibiliteit – Afmetingen en configuraties kunnen worden aangepast aan specifieke RTP-kamergeometrieën en wafelafmetingen.


Toepassingen

  • Snelle thermische verwerking (RTP)
  • Snel thermisch gloeien (RTA)
  • Activering van doteermiddelen Oxidatie- en uitgloeistappen
  • Productie van geïntegreerde schakelingen (IC).
  • Fabricage van elektrische apparatenTechnisch

Specificaties

Eigendom
Typische waarde
Coatingmateriaal
CVD Siliciumcarbide (β-SiC)
Zuiverheid
99,99995%
Dikte
3,21 g/cm³
Hardheid
2500 hoogspanning
Thermische geleidbaarheid
300 W/m·K
Thermische uitzetting
4,5 × 10⁻⁶ K⁻¹
Buigsterkte
415 MPa


Waarom kiezen voor VeTek Semiconductor?

  • Intern CVD SiC-coatingproces speciaal ontwikkeld voor vereisten op het gebied van halfgeleiders.
  • Geïntegreerde mogelijkheden voor grafietzuivering, precisiebewerking en controle van de laagdikte.
  • Bewezen coatinghechting en laaguniformiteit bij batchproductie.
  • Technische ondersteuning voor aangepaste susceptorontwerpen die compatibel zijn met de belangrijkste RTP-toolplatforms.
  • Strenge materiaalinspectie, monitoring tijdens het proces en eindkwalificatietests zorgen voor consistentie tussen batches.

Hottags: CVD SiC gecoate RTP-susceptor RTP Susceptor RTA Susceptor SiC gecoate grafiet susceptor Snelle thermische verwerkingssusceptor Snelle thermische onthardingsdrager Halfgeleider RTP-provider CVD-siliciumcarbidecoating Hoge zuiverheid grafiet susceptor SiC-gecoate wafeldrager
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies.Privacybeleid
AfwijzenAccepteren