SIC Crystal Growth Nieuwe technologie

VEtek Semiconductor's SIC Crystal Growth Nieuwe technologie gebruikt weggegooide CVD-SIC-blokken om het materiaal te recyclen als een bron voor de groeiende SIC-kristallen. De CVD-SIC Bluk die wordt gebruikt voor een enkele kristalgroei worden bereid als grootte-gecontroleerde gebroken blokken, die significante verschillen in vorm en grootte hebben in vergelijking met het commerciële SIC-poeder dat vaak wordt gebruikt in het PVT-proces, dus het gedrag van SIC-groei van enkele kristal wordt verwacht dathoe aanzienlijk ander gedrag.

Voordat het SIC Single Crystal Growth Experiment werd uitgevoerd, werden computersimulaties uitgevoerd om hoge groeipercentages te verkrijgen en werd de hete zone dienovereenkomstig geconfigureerd voor enkele kristalgroei. Na kristalgroei werden de gekweekte kristallen geëvalueerd door cross-sectionele tomografie, micro-ramanspectroscopie, röntgendiffractie met hoge resolutie en synchrotron straling witte straal röntgentopografie.

✔ Bereik CVD-SIC-blokbron voor: Ten eerste moeten we een hoogwaardige CVD-SIC-blokbron voorbereiden, die meestal van hoge zuiverheid en hoge dichtheid is. Dit kan worden bereid door chemische dampafzetting (CVD) methode onder passende reactieomstandigheden.

✔ Substraatvoorbereiding: Selecteer een geschikt substraat als het substraat voor SiC -groei van enkele kristal. Veelgebruikte substraatmaterialen omvatten siliciumcarbide, siliciumnitride, enz., Die een goede match hebben met het groeiende sic single crystal.

✔ Verwarming en sublimatie: Plaats de CVD-SIC-blokbron en het substraat in een oven van hoge temperatuur en zorg voor geschikte sublimatievoorwaarden. Sublimatie betekent dat de blokbron bij hoge temperatuur direct verandert van vaste naar dampstatus en vervolgens op het substraatoppervlak re-condimenten om een ​​enkel kristal te vormen.

✔ Temperatuurregeling: Tijdens het sublimatieproces moet de temperatuurgradiënt en temperatuurverdeling nauwkeurig worden geregeld om de sublimatie van de blokbron en de groei van enkele kristallen te bevorderen. Passende temperatuurregeling kan een ideale kristalkwaliteit en groeisnelheid bereiken.

✔ Atmosfeer controle: Tijdens het sublimatieproces moet de reactiesmosfeer ook worden gecontroleerd. Hoge zuivere inerte gas (zoals argon) wordt meestal gebruikt als dragergas om de juiste druk en zuiverheid te behouden en verontreiniging door onzuiverheden te voorkomen.

✔ Enkele kristalgroei: De CVD-SIC-blokbron ondergaat een dampfase-overgang tijdens het sublimatieproces en recondensies op het substraatoppervlak om een ​​enkele kristalstructuur te vormen. Snelle groei van SIC -enkele kristallen kan worden bereikt door geschikte sublimatievoorwaarden en temperatuurgradiëntcontrole.