Chemische dampafzettingsproces vaste sische randring

CVD Process Solid SIC Edge Ring:

● Materiaal: De focusring is gefabriceerd uit vaste SIC, een hoge zuiverheid en hoogwaardige keramisch materiaal. Het wordt bereid door chemische dampafzetting. Het vaste SIC-materiaal biedt uitzonderlijke duurzaamheid, weerstand van hoge temperatuur en uitstekende mechanische eigenschappen.

●  Voordelen: De CVD SIC-ring biedt uitstekende thermische stabiliteit, waardoor de structurele integriteit zijn structurele integriteit handhaaft, zelfs onder condities van hoge temperatuur die zich voordeden in droge etsprocessen. De hoge hardheid zorgt voor weerstand tegen mechanische stress en slijtage, wat leidt tot een langere levensduur van de dienstverlening. Bovendien vertoont Solid SIC chemische inertie, beschermt het tegen corrosie en handhaaft hij de prestaties in de loop van de tijd.

CVD SIC Coating:

●  Materiaal: CVD SIC -coating is een dunne filmafzetting van SiC met behulp van chemische dampafzetting (CVD) technieken. De coating wordt aangebracht op een substraatmateriaal, zoals grafiet of silicium, om SIC -eigenschappen aan het oppervlak te leveren.

●  Vergelijking: Hoewel CVD SIC -coatings enkele voordelen bieden, zoals conforme depositie op complexe vormen en instelbare filmeigenschappen, kunnen ze niet overeenkomen met de robuustheid en de uitvoering van Solid SiC. De coatingdikte, kristallijne structuur en oppervlakteruwheid kunnen variëren op basis van de CVD -procesparameters, die mogelijk de duurzaamheid en algehele prestaties van de coating beïnvloeden.

Samenvattend is Vetek Semiconductor Solid SIC -focusring een uitzonderlijke keuze voor droge etsentoepassingen. Het vaste SIC-materiaal zorgt voor een hoge temperatuurweerstand, uitstekende hardheid en chemische inertie, waardoor het een betrouwbare en langdurige oplossing is. Hoewel CVD SIC -coating flexibiliteit biedt in depositie, blinkt de CVD SIC -ring uit in het bieden van ongeëvenaarde duurzaamheid en prestaties die nodig zijn voor het veeleisen van droge etsenprocessen.

Fysieke eigenschappen van vaste SIC