Producten
CVD SiC gecoate grafiet susceptor voor waferdrager
  • CVD SiC gecoate grafiet susceptor voor waferdragerCVD SiC gecoate grafiet susceptor voor waferdrager

CVD SiC gecoate grafiet susceptor voor waferdrager

VETEK CVD SiC gecoate grafiet susceptor voor waferdrager is een hoogwaardige waferondersteuningscomponent ontworpen voor halfgeleider-epitaxieprocessen. Het product maakt gebruik van zeer zuiver grafiet als substraat en is gecoat met een uniforme CVD-laag van siliciumcarbide (SiC), die uitstekende thermische stabiliteit, chemische weerstand en deeltjesbeheersing biedt. Als een kritische grafiet susceptorcomponent ondersteunt het rechtstreeks wafers in de reactiekamer en helpt het een uniforme temperatuurverdeling en stabiele epitaxiale groeiomstandigheden te handhaven.

1. Productvoordelen


  • Hoge zuiverheidsmateriaal:Het grafietmateriaal van halfgeleiderkwaliteit en de dichte SiC-coatingstructuur minimaliseren het besmettingsrisico en verbeteren de betrouwbaarheid van de met CVD SiC gecoate grafiet susceptor.
  • Uitstekende thermische uniformiteit:Geoptimaliseerde grafietstructuur en SiC-coating zorgen voor een stabiele warmteoverdracht en uniforme temperatuurregeling van de wafer.
  • Superieure chemische weerstand:De dichte SiC-coating biedt een sterke weerstand tegen procesgassen en corrosieve omgevingen.
  • Lange levensduur:Hoge hardheid en slijtvastheid verbeteren de duurzaamheid onder epitaxieomstandigheden bij hoge temperaturen.
  • Lage deeltjesgeneratie:Het dichte CVD SiC-oppervlak vermindert het vrijkomen van deeltjes en verbetert de betrouwbaarheid van het waferproces.
  • Aangepaste ontwerpmogelijkheden:Verkrijgbaar in verschillende maten, structuren en configuraties, afhankelijk van de apparatuurvereisten.



2. Technische specificaties

Item
Typische waarde
Substraatmateriaal
Grafiet met hoge zuiverheid
Coatingmateriaal
CVD Siliciumcarbide (SiC)
SiC-zuiverheid
≥99,999%
Laagdikte
100 ± 20 μm (aanpasbaar)
Uniformiteit van de laagdikte
Gecontroleerd binnen 10 μm tussen batches
Dichtheid van CVD SiC-coating
3,21 g/cm³
Thermische geleidbaarheid
300 W/m·K
Thermische uitzettingscoëfficiënt
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Toepassingen


  • SiC-epitaxieproces:De grafiet susceptor wordt gebruikt als wafeldrager in SiC-epitaxieapparatuur en ondersteunt SiC-substraten tijdens epitaxiale groei bij hoge temperaturen.
  • Siliciumepitaxieproces:Toegepast in epitaxiale siliciumreactoren voor het ondersteunen van wafers en het handhaven van stabiele thermische omstandigheden.
  • MOCVD Epitaxie:VETEK grafiet susceptoren zijn geschikt voor MOCVD, LED-epitaxie, GaN-epitaxie, siliciumepitaxie en andere halfgeleiderproductieprocessen die uitstekende thermische uniformiteit en chemische stabiliteit vereisen.
  • Apparatuur voor de productie van halfgeleiders:Compatibel met verschillende epitaxieplatforms, waaronder LPE horizontale ovens, Aixtron, NuFlare en aanverwante halfgeleiderapparatuur.



4. Waarom kiezen voor VETEK?

VETEK biedt op maat gemaakte CVD SiC-gecoate grafiet susceptoroplossingen waarin grafietzuivering, precisiebewerking, CVD-coating en inspectiemogelijkheden zijn geïntegreerd. Onze grafiet susceptorproducten van halfgeleiderkwaliteit kenmerken zich door een hoge zuiverheid, uniforme laagdikte, uitstekende thermische prestaties en een lange levensduur voor veeleisende waferdragertoepassingen.

Hottags: CVD SiC gecoate grafiet susceptor, grafiet susceptor, SiC gecoate grafiet wafeldrager, halfgeleider epitaxie susceptor, MOCVD grafiet susceptor, SiC wafer drager, CVD SiC grafiet susceptor
Stuur onderzoek
Contact informatie
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies. Privacybeleid
AfwijzenAccepteren