Siliconen carbide keramische coating grafietverwarming

Het halfgeleider Siliconen carbide keramische coating grafietverwarmingCombineert de uitstekende elektrische en thermische geleidbaarheid van grafiet met de hoge temperatuurweerstand, corrosieweerstand en slijtvastheid van Silicon Carbon Ceramic Coating en is ontworpen voor harde productie -omgevingen voor halfgeleiders. 

Siliconen carbide keramische coating grafietverwarmingwordt voornamelijk gebruikt in vacuümcoating (verdamping) apparatuur en de algemeen gebruikte methoden zijn PCD (plasma chemisch drogen) en PVD (fysieke dampafzetting). Dit product heeft een belangrijke rol gespeeld bij het bevorderen van technologische vooruitgang en het verbeteren van de productie -efficiëntie in de halfgeleiderindustrie.We kijken oprecht uit naar verdere samenwerking met u.

De materiaal- en structurele kenmerken van siliciumcarbide keramische coating grafietverwarming zijn als volgt:

Grafiet -substraat: Grafiet staat bekend om zijn hoge thermische geleidbaarheid en lage thermische expansiecoëfficiënt. Het kan snel reageren op temperatuurveranderingen en de structurele stabiliteit bij hoge temperaturen behouden.

Siliconen koolstof keramische coating: SIC -coating is gelijkmatig gecoat op het grafietoppervlak door chemische dampafzetting of andere geavanceerde processen. SIC heeft een extreem hoge hardheid en chemische corrosieweerstand, die het grafietsubstraat kunnen beschermen tegen oxidatie en corrosieve omgevingen op hoge temperatuur.

Het speciale product structurele ontwerp van siliciumcarbide keramische coating grafietverwarming bepaaltDe onvervangbare productvoordelen van dit product in het halfgeleiderverwerkingsproces:

Efficiënte en uniforme verwarming:

Thermische geleidbaarheid: De hoge thermische geleidbaarheid van grafiet stelt de verwarming in staat om snel de vereiste temperatuur te bereiken en te behouden, en de SIC -coating zorgt voor een uniforme verdeling van warmte. Dit is vooral belangrijk voor halfgeleiderprocessen die precieze temperatuurregeling vereisen, zoals Rapid Thermal Processing (RTP) en chemische dampafzetting (CVD).

Temperatuuruniformiteit: Door uniforme warmteverdeling kan de grafietverwarming van siliciumcarbide keramische coating -kachel de thermische stress en temperatuurgradiënt effectief verminderen, waardoor de consistentie en kwaliteitsstabiliteit van halfgeleiderwafels tijdens het verwarmingsproces worden gewaarborgd.

Anti-corrosie bescherming:

Chemische weerstand: De chemische corrosieweerstand van SIC -coating stelt de verwarming in staat stabiel en lange tijd te werken in corrosieve gas- en chemische omgevingen, waardoor schade aan het grafietsubstraat wordt vermeden. Deze functie is met name van cruciaal belang in processen zoals chemische dampafzetting (CVD) en plasma verbeterde chemische dampafzetting (PECVD).

Oxidatieweerstand: Bij hoge temperaturen kan SIC -coating oxidatie van het grafietsubstraat voorkomen, de levensduur van de verwarming verlengen en de frequentie en kosten van onderhoud van apparatuur verminderen.

Verminder deeltjesbesmetting:

Oppervlaktestabiliteit: SIC-coating is niet alleen slijtvast, maar voorkomt ook dat deeltjes van het materiaaloppervlak vallen als gevolg van thermische cycli of chemische reacties, waardoor het risico op deeltjesverontreiniging die kan optreden tijdens de productie van halfgeleiders en een hooggerechtigheidsprocesomgeving waarborgen.

Verbetering van procesbetrouwbaarheid en efficiëntie:

Langleven ontwerp: Vanwege de combinatie van de mechanische sterkte van grafiet en de slijtvastheid van SiC-coating, kan siliciumcarbide-keramische coating grafietverwarming een lange tijd onder harde procesomstandigheden houden, waardoor de algehele betrouwbaarheid van de apparatuur aanzienlijk wordt verbeterd.

Efficiënt energieverbruik: De hoge thermische geleidbaarheid van grafiet en de stabiliteit van de hoge temperatuur van SiC-coating stelt de verwarming in staat om het energieverbruik te verminderen, terwijl de nauwkeurigheid van de temperatuurcontrole wordt verbeterd, waardoor de algehele efficiëntie van de productie van halfgeleiders wordt verbeterd.

Basisfysische eigenschappen vanSiliconen carbide keramische coating grafietverwarming:

Het halfgeleiderSiliconen carbide keramische coating grafietverwarmingwinkels:

Overzicht van de Semiconductor Chip Epitaxy Industry Chain:

/Ander proces