SIC gecoate satellietdekking voor MOCVD

Als een toonaangevende SIC -gecoate MOCVD -satellietbedekkingsfabrikant in China, streeft VeteksEmCon ertoe om hoogwaardige epitaxiale procesoplossingen te bieden aan de halfgeleiderindustrie. Onze MOCVD SIC -gecoate covers zijn zorgvuldig ontworpen en meestal gebruikt in Satellite Susceptor System (SSS) om wafels of monsters te ondersteunen en te bedekken om de groeiomgeving te optimaliseren en de epitaxiale kwaliteit te verbeteren.

Belangrijkste materialen en structuren

● Substraat: SIC -gecoate deksel voor wordt meestal gemaakt van hoog zuiverheidsgrafiet of keramisch substraat, zoals isostatisch grafiet, om een ​​goede mechanische sterkte en lichtgewicht te bieden.

●  Oppervlakte -coating: Een hoge zuivere siliciumcarbide (SIC) materiaal gecoat met behulp van het chemische dampafzetting (CVD) proces om de weerstand tegen hoge temperaturen, corrosie en deeltjesbesmetting te verbeteren.

●  Formulier: Meestal schijfvormige of met speciale structurele ontwerpen voor verschillende modellen van MOCVD-apparatuur (bijvoorbeeld Veeco, Aixtron).

Gebruik en belangrijke rollen in het MOCVD -proces:

De SIC -gecoate satellietdekking voor MOCVD wordt voornamelijk gebruikt in de MOCVD -epitaxiale groeiperactiekamer, en de functies zijn onder meer:

(1) Wafels beschermen en de temperatuurverdeling optimaliseren

Als een belangrijke component voor warmteafscherming in MOCVD-apparatuur, bedekt het de omtrek van de wafel om niet-uniforme verwarming te verminderen en de uniformiteit van de groeitemperatuur te verbeteren.

Kenmerken: Siliciumcarbide -coating heeft een goede stabiliteit van hoge temperatuur en thermische geleidbaarheid (300W.M^-1-K^-1), die helpt bij het verbeteren van de dikte van de epitaxiale laag en de dopinguniformiteit.

(2) Voorkom deeltjesbesmetting en verbetering van de kwaliteit van de epitaxiale laag

Het dichte en corrosiebestendige oppervlak van SiC-coating voorkomt dat brongassen (bijv. TMGA, TMAL, NH₃) reageren met het substraat tijdens het MOCVD-proces en vermindert deeltjesverontreiniging.

Kenmerken: De lage adsorptiekarakteristieken verminderen het afzettingsresidu, verbeteren de opbrengst van GAN, sic epitaxiale wafer.

(3) Weerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand, het verlengen van de levensduur van apparatuur

Hoge temperatuur (> 1000 ° C) en corrosieve gassen (bijv. NH₃, H₂) worden gebruikt in het MOCVD -proces. SIC -coatings zijn effectief in het weerstaan ​​van chemische erosie en het verlagen van de onderhoudskosten van apparatuur.

Kenmerken: Vanwege de lage coëfficiënt van thermische expansie (4,5 × 10^-6K^-1), SIC handhaaft dimensionale stabiliteit en vermijdt vervorming in thermische cycli -omgevingen.

CVD Coating Film Crystal Structure ：

Basisfysische eigenschappen van CVD SIC -coating

Veteksemicon's SIC Coated Satellite Cover voor MOCVD Products Shop: