Industrie nieuws

Etsentechnologie in de productie van halfgeleiders ondervindt vaak problemen zoals laadeffect, micro-grof effect en laadeffect, die de productkwaliteit beïnvloeden. Verbeteringsoplossingen omvatten het optimaliseren van de plasmadichtheid, het aanpassen van de reactiegassamenstelling, het verbeteren van de efficiëntie van het vacuümsysteem, het ontwerpen van een redelijke lithografie -lay -out en het selecteren van geschikte etsenmaskermaterialen en procesomstandigheden.

Hete dringende sintering is de belangrijkste methode voor het bereiden van krachtige SIC-keramiek. Het proces van hete dringende sinters omvat: het selecteren van SiC-poeder met hoge zuiverheid, drukken en vormen onder hoge temperatuur en hoge druk, en vervolgens sinteren. SIC -keramiek bereid door deze methode heeft de voordelen van hoge zuiverheid en hoge dichtheid en worden veel gebruikt bij het slijpen van schijven en warmtebehandelingsapparatuur voor het verwerking van wafers.

De belangrijkste groeimethoden van siliciumcarbide (SiC) zijn onder meer PVT, TSSG en HTCVD, elk met duidelijke voordelen en uitdagingen. Op koolstof gebaseerde thermische veldmaterialen zoals isolatiesystemen, smeltkroezen, TaC-coatings en poreus grafiet verbeteren de kristalgroei door stabiliteit, thermische geleidbaarheid en zuiverheid te bieden, essentieel voor de nauwkeurige fabricage en toepassing van SiC.

SIC heeft een hoge hardheid, thermische geleidbaarheid en corrosieweerstand, waardoor het ideaal is voor de productie van halfgeleiders. CVD SIC -coating wordt gecreëerd door chemische dampafzetting, die een hoge thermische geleidbaarheid, chemische stabiliteit en een bijpassende roosterconstante voor epitaxiale groei biedt. De lage thermische expansie en hoge hardheid zorgen voor duurzaamheid en precisie, waardoor het essentieel is in toepassingen zoals wafeldragers, voorverwarmingsringen en meer. Vetek Semiconductor is gespecialiseerd in aangepaste SIC -coatings voor diverse industriële behoeften.

Siliciumcarbide (SIC) is een hoogcisie halfgeleidermateriaal dat bekend staat om zijn uitstekende eigenschappen zoals weerstand met hoge temperatuur, corrosieweerstand en hoge mechanische sterkte. Het heeft meer dan 200 kristalstructuren, waarbij 3C-SIC het enige kubieke type is en een superieure natuurlijke sfericiteit en verdichting biedt in vergelijking met andere typen. 3C-SIC onderscheidt zich vanwege zijn hoge elektronenmobiliteit, waardoor het ideaal is voor MOSFET's in Power Electronics. Bovendien toont het een groot potentieel in nano -elektronica, blauwe LED's en sensoren.

Diamond, een potentiële 'ultieme halfgeleider' van de vierde generatie, trok aandacht in halfgeleidersubstraten vanwege zijn uitzonderlijke hardheid, thermische geleidbaarheid en elektrische eigenschappen. Hoewel de hoge kosten- en productie -uitdagingen het gebruik ervan beperken, is CVD de voorkeursmethode. Ondanks het doping en grote uitdagen van kristal, belooft Diamond.

SiC en GaN zijn halfgeleiders met een grote bandafstand en voordelen ten opzichte van silicium, zoals hogere doorslagspanningen, snellere schakelsnelheden en superieure efficiëntie. SiC is beter voor hoogspannings- en hoogvermogentoepassingen vanwege de hogere thermische geleidbaarheid, terwijl GaN uitblinkt in hoogfrequente toepassingen dankzij de superieure elektronenmobiliteit.

Elektronenstraalverdamping is een zeer efficiënte en veel gebruikte coatingmethode in vergelijking met weerstandsverwarming, waardoor het verdampingsmateriaal wordt verwarmd met een elektronenstraal, waardoor het verdampt en condenseert in een dunne film.

Vacuümcoating omvat verdamping van het filmmateriaal, vacuümtransport en dunne filmgroei. Volgens de verschillende verdampingsmethoden en transportprocessen van het filmmateriaal kan vacuümcoating worden onderverdeeld in twee categorieën: PVD en CVD.

Dit artikel beschrijft de fysieke parameters en productkenmerken van het poreuze grafiet van VeTek Semiconductor, evenals de specifieke toepassingen ervan in de verwerking van halfgeleiders.

Dit artikel analyseert de productkenmerken en toepassingsscenario's van tantalum carbide -coating en siliciumcarbide -coating vanuit meerdere perspectieven.

Dunne filmafzetting is van vitaal belang in chipproductie, waardoor micro -apparaten worden gecreëerd door films te deponeren van een dikke films van dikke van 1 micron via CVD, ALD of PVD. Deze processen bouwen halfgeleidercomponenten op door afwisselend geleidende en isolerende films.

Het productieproces van halfgeleiders omvat acht stappen: wafersverwerking, oxidatie, lithografie, etsen, dunne filmafzetting, interconnectie, testen en verpakking. Silicium uit zand wordt verwerkt in wafels, geoxideerd, gevormd en geëtst voor high-nauwkeurige circuits.

Dit artikel beschrijft dat LED -substraat de grootste toepassing van saffier is, evenals de belangrijkste methoden voor het bereiden van saffierkristallen: groeiende saffierkristallen door de czochralski -methode, groeiende saffierkristallen door de Kyropoulos -methode, groeiende sapphire -kristallen door de begeleide mastmethode en groeiende sapphire -kristallen door de hitte -uitwisselingsmethode.

Het artikel legt de temperatuurgradiënt uit in een ovens met één kristal. Het bedekt de statische en dynamische warmtevelden tijdens kristalgroei, de vaste-vloeistof-interface en de rol van de temperatuurgradiënt bij stolling.

Het Taiko -proces duurt siliciumwafels met behulp van zijn principes, technische voordelen en processen.