Als in de wereld van halfgeleiders met een brede bandafstand (WBG) het geavanceerde productieproces de 'ziel' is, is de grafietkroes de 'ruggengraat' en is de oppervlaktecoating de kritische 'huid'.
In de wereld van de vermogenselektronica waar veel op het spel staat, zijn siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN) de speerpunten van een revolutie: van elektrische voertuigen (EV's) naar infrastructuur voor hernieuwbare energie. De legendarische hardheid en chemische inertie van deze materialen vormen echter een formidabel knelpunt bij de productie.
Bij de productie van halfgeleiders is het chemisch-mechanische planarisatieproces (CMP) de kernfase voor het bereiken van planarisatie van het waferoppervlak, waarbij het succes of falen van daaropvolgende lithografiestappen direct wordt bepaald. Als het kritische verbruiksartikel in CMP zijn de prestaties van de polijstslurry de ultieme factor bij het beheersen van de verwijderingssnelheid (RR), het minimaliseren van defecten en het verbeteren van de algehele opbrengst.
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies.Privacybeleid