TaC-gecoate grafietwafelafdekring

Belangrijkste technische voordelen

• Uitzonderlijke chemische bestendigheid: Ontworpen om agressieve etsgassen (H₂, NH₃, HCl) te weerstaan ​​bij temperaturen tussen 1200°C en 2000°C.

• Matching thermische uitzetting: Ons gepatenteerde CVD-proces zorgt ervoor dat de TaC-coating een geoptimaliseerde CTE-match (Coefficient of Thermal Expansion) heeft met het grafietsubstraat, waardoor afbladderen of barsten tijdens snelle thermische cycli wordt voorkomen.

• Superieure deeltjescontrole: Door het poreuze grafiet volledig af te dichten, elimineert de TaC-laag het afstoten van deeltjes, waardoor uw waferopbrengst direct toeneemt en de stilstandtijd van de reactor wordt verminderd.

• Verlengde levensduur: Zeer slijtvast oppervlak dat bestand is tegen herhaalde reinigingscycli en een aanzienlijk lagere Cost of Ownership (CoO) biedt in vergelijking met ongecoate of SiC-gecoate alternatieven.

Tantaalcarbide (TaC) coating op een microscopische dwarsdoorsnede

Productparameter van de TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Waarom kiezen voor onze TaC-afdekringen?

Wij begrijpen dat betrouwbaarheid bij de productie van halfgeleiders gelijk staat aan winstgevendheid. Onze TaC Coated Graphite Wafer Cover Rings zijn batch-getest op coatingdichtheid en zuiverheid. Of u nu overstapt van 6-inch naar 8-inch waferproductie of een MOCVD-proces op hoge temperatuur optimaliseert, onze ringen bieden de thermische en chemische afscherming die nodig is voor epitaxie van wereldklasse.