SIC gecoate diep UV LED Susceptor

SIC gecoate diep UV LED -susceptor is de kernlagercomponent inMOCVD (metaal organische chemische dampafzetting) apparatuur. De susceptor heeft direct invloed op de uniformiteit, diktecontrole en materiaalkwaliteit van diepe UV LED -epitaxiale groei, vooral in de groei van aluminium nitride (ALN) epitaxiale laag met een hoog aluminiumgehalte, het ontwerp en de prestaties van de susceptor zijn cruciaal.

SIC gecoate diepe UV LED -susceptor is speciaal geoptimaliseerd voor diepe UV LED -epitaxie en is precies ontworpen op basis van thermische, mechanische en chemische omgevingskenmerken om te voldoen aan de stringente procesvereisten.

Vetek Semiconductor maakt gebruik van geavanceerde verwerkingstechnologie om een ​​uniforme warmteverdeling van de susceptor binnen het bedrijfstemperatuurbereik te garanderen, waardoor niet-uniforme groei van de epitaxiale laag veroorzaakt door temperatuurgradiënt wordt vermeden. Precisieverwerking regelt de ruwheid van het oppervlak, minimaliseert deeltjesverontreiniging en verbetert de thermische geleidbaarheidsefficiëntie van wafeloppervlakcontact.

Vetek Semiconductor gebruikt SGL -grafiet als materiaal, en het oppervlak wordt behandeld metCVD SIC -coating, die nog lang bestand zijn tegen NH3, HCL en hoge temperatuuratmosfeer. Vetek Semiconductor's SIC gecoate diep UV LED -susceptor komt overeen met de thermische expansiecoëfficiënt van Aln/GaN -epitaxiale wafels, waardoor het kraken van wafers of barsten veroorzaakt door thermische stress tijdens het proces.

Het belangrijkste is dat de SIC van Vetek Semiconductor Coated Deep UV LED Susceptor zich perfect aanpast aan reguliere MOCVD -apparatuur (inclusief Veeco K465I, EPIK 700, Aixtron Crius, enz.). Ondersteunt aangepaste services voor wafergrootte (2 ~ 8 inch), wafer slotontwerp, procestemperatuur en andere vereisten.

Toepassingsscenario's:

● Diepe UV LED -voorbereiding: Toepasselijk op het epitaxiale proces van apparaten in de band onder 260 nm (UV-C desinfectie, sterilisatie en andere velden).

● Nitride halfgeleider epitaxie: Gebruikt voor epitaxiale bereiding van halfgeleidermaterialen zoals galliumnitride (GAN) en aluminiumnitride (ALN).

● Epitaxiale experimenten op onderzoeksniveau: Diepe UV -epitaxie en nieuwe experimenten met materiaalontwikkeling op universiteiten en onderzoeksinstellingen.

Met de ondersteuning van een sterk technisch team, kan Vetek Semiconductor susceptoren ontwikkelen met unieke specificaties en functies volgens de behoeften van de klant, specifieke productieprocessen ondersteunen en langetermijndiensten bieden.

SEM -gegevens van CVD SIC -coatingfilm:

Basisfysische eigenschappen van CVD SIC -coating:

Het halfgeleiderSIC gecoate diepe UV LED Susceptor -productwinkels: