Nieuws

Quartz-producten worden veel gebruikt in het productieproces van halfgeleiders vanwege hun hoge zuiverheid, hoge temperatuurweerstand en sterke chemische stabiliteit.

Siliciumcarbide (SIC) kristalgroeivaven spelen een cruciale rol bij het produceren van krachtige SIC-wafels voor halfgeleiderapparaten van de volgende generatie. Het proces van het kweken van hoogwaardige SIC-kristallen vormt echter aanzienlijke uitdagingen. Van het beheren van extreme thermische gradiënten tot het verminderen van kristaldefecten, het waarborgen van een uniforme groei en het beheersen van de productiekosten, elke stap vereist geavanceerde engineeringoplossingen. Dit artikel zal de technische uitdagingen van SIC Crystal Growth Ovens vanuit meerdere perspectieven analyseren.

Smart Cut is een geavanceerd halfgeleiderproductieproces op basis van ionenimplantatie en wafelstrippen, speciaal ontworpen voor de productie van ultradunne en zeer uniforme 3C-SIC (kubieke siliciumcarbide) wafels. Het kan ultradunne kristalmaterialen van het ene substraat naar het andere overbrengen, waardoor de oorspronkelijke fysieke beperkingen worden doorbreken en de gehele substraatindustrie veranderen.