Siliconen carbide douchekop

Vetek halfgeleider silicium carbide douchekop is voornamelijk gemaakt van sic. In de verwerking van halfgeleiders is de belangrijkste functie van siliciumcarbide douchekop het reactiegas gelijkmatig te verdelen om de vorming van een uniforme film te waarborgen tijdensChemische dampafzetting (CVD)ofFysieke dampafzetting (PVD)processen. Vanwege de uitstekende eigenschappen van SiC, zoals een hoge thermische geleidbaarheid en chemische stabiliteit, kan SIC -douchekop efficiënt werken bij hoge temperaturen, de oneffenheid van de gasstroom tijdens deafzettingsproces, en zo de kwaliteit van de filmlaag verbeteren.

Silicium carbide douchekop kan het reactiegas gelijkmatig verdeeld door meerdere sproeiers met hetzelfde diafragma, een uniforme gasstroom zorgen, vermijden lokale concentraties die te hoog of te laag zijn en dus de kwaliteit van de film verbeteren. Gecombineerd met de uitstekende weerstand van hoge temperatuur en chemische stabiliteit vanCVD SIC, er worden geen deeltjes of verontreinigingen vrijgegeven tijdens deFilmafzettingsproces, wat van cruciaal belang is voor het handhaven van de zuiverheid van de filmafzetting.

Kernprestatiematrix

Key Indicators Technische specificaties Teststandaarden

Basismateriaal 6n Grade Chemische dampafzetting Siliciumcarbide Semi F47-0703

Thermische geleidbaarheid (25 ℃) 330 w/(m · k) ± 5%ASTM E1461

Bedrijfstemperatuurbereik -196 ℃ ~ 1650 ℃ Cyclusstabiliteit MIL-STD-883 Methode

Apertuurbewerkingsnauwkeurigheid ± 0,005 mm (laser microhole bewerkingstechnologie) ISO 286-2

Oppervlakteruwheid Ra ≤0,05 urn (behandeling van spiegelkwaliteit) JIS B 0601: 2013

Triple Process Innovation Voordeel

Luchtstroombesturing op nanoschaal

1080 Hole matrixontwerp: neemt de asymmetrische honingraatstructuur aan om 95,7% gasverdelingsuniformiteit te bereiken (gemeten gegevens)

Gradiëntopeningstechnologie: 0,35 mm buitenring → 0,2 mm centrum progressieve lay -out, het elimineren van randeffect

Nul Contamination Deposit Bescherming

Ultra-schone oppervlaktebehandeling:

Ionbundeletsen verwijdert de ondergrondse beschadigde laag

Atomic Layer Deposition (ALD) Al₂o₃ Protective Film (optioneel)

Thermische mechanische stabiliteit

Thermische vervormingscoëfficiënt: ≤0,8 μm/m · ℃ (73% lager dan traditionele materialen)

Geslaagd voor 3000 thermische schoktests (RT↔1450 ℃ cyclus)

SEM -gegevens vanCVD SIC -film Kristalstructuur：

Basisfysische eigenschappen van CVD Sic coating：

Vetek Semiconductor Silicon Carbide Shower Head Shops: