SIC Coating Collector Center

Vetek Semiconductor SIC Coating Collector Center speelt een belangrijke rol bij de productie van het Semiconducor EPI -proces. Het is een van de belangrijkste componenten die worden gebruikt voor gasverdeling en controle in een epitaxiale reactiekamer.Sic coatingEnTAC -coatingin onze fabriek.

De rol van het SIC Coating Collector Center is als volgt:

● Gasverdeling: SIC Coating Collector Center wordt gebruikt om verschillende gassen in de epitaxiale reactiekamer te introduceren. Het heeft meerdere inlaten en verkooppunten die verschillende gassen kunnen verdelen naar de gewenste locaties om aan specifieke epitaxiale groeibehoeften te voldoen.

● Besturingsgas: SIC Coating Collector Center bereikt precieze controle van elk gas door kleppen en stroomregelingsapparaten. Deze precieze gasregeling is essentieel voor het succes van het epitaxiale groeiproces om de gewenste gasconcentratie en stroomsnelheid te bereiken, waardoor de kwaliteit en consistentie van de film wordt gewaarborgd.

● Uniformiteit: Het ontwerp en de lay -out van de centrale gasverzamelingsring helpt bij het bereiken van een uniforme verdeling van gas. Door een redelijk gasstroompad en distributiemodus wordt het gas gelijkmatig gemengd in de epitaxiale reactiekamer, om een ​​uniforme groei van de film te bereiken.

Bij de productie van epitaxiale producten speelt SIC Coating Collector Center een sleutelrol in de kwaliteit, dikte en uniformiteit van de film. Door middel van een goede gasverdeling en -controle kan het SIC -coatingcollectorcentrum zorgen voor de stabiliteit en consistentie van deEpitaxiaal groeiproces, om epitaxiale films van hoge kwaliteit te verkrijgen.

In vergelijking met grafietcollectorcentrum is het SIC -gecoate collectorcentrum verbeterde thermische geleidbaarheid, verbeterde chemische inertie en superieure corrosieweerstand. De siliciumcarbide -coating verbetert aanzienlijk het thermische beheervermogen van het grafietmateriaal, wat leidt tot een betere temperatuuruniformiteit en consistente filmgroei in epitaxiale processen. Bovendien biedt de coating een beschermende laag die bestand is tegen chemische corrosie, waardoor de levensduur van de grafietcomponenten wordt verlengd. Over het algemeen desiliciumcarbide gecoatGrafietmateriaal biedt superieure thermische geleidbaarheid, chemische inertie en corrosieweerstand, waardoor verbeterde stabiliteit en hoogwaardige filmgroei in epitaxiale processen wordt gewaarborgd.

CVD SIC -film Crystal Structure:

Basisfysische eigenschappen van CVD SIC -coating

Het halfgeleiderSIC Coating Collector CenterProductiewinkel