Horizontale sic wafer drager

VeTek SemiconductorHorizontale sic wafer drager/Boot heeft een extreem hoog smeltpunt (ongeveer 2700°C), waardoor deHorizontale sic wafer drager/Boot om stabiel te werken in omgevingen op hoge temperatuur zonder vervorming of afbraak. Deze functie is met name belangrijk in het productieproces van halfgeleiders, vooral in processen zoals gloeien met hoge temperatuur of chemische dampafzetting (CVD).

DeHorizontale sic wafer drager/Boat speelt specifiek de volgende rollen in het proces van het dragen van wafeldragers:

Siliconenwafel dragen en ondersteunen: De Horizontale SiC Wafer Boat wordt voornamelijk gebruikt voor het vervoeren en ondersteunen van siliciumwafels tijdens de productie van halfgeleiders. Het kan meerdere siliciumwafels stevig bij elkaar plaatsen om ervoor te zorgen dat ze gedurende het hele verwerkingsproces in een goede positie en stabiliteit blijven.

Gelijkmatige verwarming en koeling: Vanwege de hoge thermische geleidbaarheid van SiC kan de waferboot effectief warmte gelijkmatig verdeeld over alle siliciumwafels. Dit helpt bij het bereiken van uniforme verwarming of koeling van siliciumwafels tijdens verwerking van hoge temperatuur, het waarborgen van consistentie en betrouwbaarheid van het verwerkingsproces.

Voorkom besmetting: De chemische stabiliteit van SIC stelt het in staat om goed te presteren in hoge temperatuur- en corrosieve gasomgevingen, waardoor de blootstelling van siliciumwafels aan mogelijke verontreinigingen of reactanten wordt verminderd, waardoor de zuiverheid en kwaliteit van siliciumwafels wordt gewaarborgd.

In feite kan de horizontale SIC -wafelboot de bovenstaande rol spelen vanwege de unieke productkenmerken:

Uitstekende chemische stabiliteit: SiC-materiaal heeft een uitstekende corrosieweerstand tegen een verscheidenheid aan chemische media. Tijdens het verwerken van corrosieve gassen of vloeistoffen kan SiC Wafer Boat effectief chemische corrosie weerstaan ​​en siliciumwafels beschermen tegen verontreiniging of schade.

Hoge thermische geleidbaarheid: De hoge thermische geleidbaarheid van SiC helpt de warmte gelijkmatig te verdelen in het dragerproces en de warmteaccumulatie te verminderen. Dit kan de nauwkeurigheid van de temperatuurregeling tijdens precisieverwerking verbeteren en een uniforme verwarming of koeling van siliciumwafels garanderen.

Lage thermische uitzettingscoëfficiënt: De lage thermische uitzettingscoëfficiënt van SiC-materiaal betekent dat de maatverandering van SiC Wafer Boat erg klein is tijdens temperatuurveranderingen. Dit helpt de dimensionele stabiliteit te behouden tijdens verwerking bij hoge temperaturen en voorkomt vervorming of positionele verplaatsing van siliciumwafels veroorzaakt door thermische uitzetting.

Basisfysische eigenschappen van horizontale SIC -wafeldrager:

Vergelijk Semiconductor Production Shop:

Overzicht van de Semiconductor Chip Epitaxy Industry Chain: