Zeer zuiver stijf vilt

SIC-epitaxiale groei is een technologie voor het kweken van hoogwaardige dunne films van siliciumcarbide op het oppervlak van een substraat. Dit proces is essentieel voor de productie van krachtige siliciumcarbide halfgeleiderapparaten, zoals siliciumcarbide-stroomapparaten en siliciumcarbide RF-apparaten. In dit proces moet de groeiomgeving, inclusief temperatuur, gasstroom, druk en andere parameters, strikt worden geregeld om te zorgen voor de groei van hoogwaardige, hoogwaardige siliciumcarbide epitaxiale lagen met goede elektrische eigenschappen. SIC Coatig Halfmoon Graphite Parts is de kerncomponent van SiC -epitaxiale groei, en starre zuiverheidsfilt speelt voornamelijk de rol van warmtebehoud van SIC Coatig halfmoon grafietonderdelen.

Hoge zuiverheid Rigide vilt heeft een goede thermische geleidbaarheid, die de warmte van de verwarmingsbron gelijkmatig kan verdelen rond de SIC Coatig Halfmoon Graphite -onderdelen en een goed warmte -behoudeffect heeft. Tijdens de SIC -epitaxiale groei kan het warmte absorberen en langzaam afgeven om lokaal oververhitting of overkoeling te voorkomen, zodat het temperatuurverschil op het oppervlak van het siliciumcarbide -substraat wordt geregeld binnen een zeer klein bereik, en de temperatuuruniformiteit kan meestal ± 1 bereiken - 2 ℃, wat erg belangrijk is voor het kweken van een siliciumcarbide -epitaxiale laag met uniforme dikte en consistente elektrische eigenschappen.

Sommige corrosieve gassen, zoals silaan (SiH4) en propaan (C3H8), worden gebruikt als reactiebrongassen bij de epitaxiale groei van SiC. Stijf vilt met hoge zuiverheid heeft een goede tolerantie voor deze chemische gassen en kan zijn structurele integriteit behouden gedurende de epitaxiale groeicyclus (die uren of zelfs tientallen uren kan duren). En de zuiverheid van stijf vilt met hoge zuiverheid ligt boven de 99,99%, en er zullen geen stoffen vrijkomen die de epitaxiale laag in de reactieomgeving kunnen verontreinigen, waardoor de hoge zuiverheid van de epitaxiale laag van siliciumcarbide wordt gegarandeerd.

De juiste dichtheid kan de mechanische sterkte en thermische geleidbaarheid van zeer zuiver stijf vilt garanderen. Terwijl het de thermische geleidbaarheid garandeert, kan het de interferentie van externe factoren op de epitaxiale groei van SiC minimaliseren.

Vergeleken met traditionele keramische materialen en metaalmaterialen, heeft een hoog zuivere grafiet rigide vilt een betere thermische geleidbaarheid en chemische stabiliteit en is een uitstekend hulpmateriaal voor de siC -epitaxiale groei.

Als een toonaangevende China High Purity Rigid Filter Leverancier en Factory, biedt Vetek Semiconductor zeer op maat gemaakte producten, of het nu materiaal of productgrootte is, het kan voor u worden aangepast. Meer over, Vetek Semiconductor is al lang toegewijd aan het leveren van geavanceerde high purity rigide vilttechnologie en productoplossingen voor de halfgeleiderindustrie. We kijken er oprecht naar uit om uw langdurige partner in China te worden.

VeTek Semiconductor Productiewerkplaatsen voor zeer zuiver stijf vilt: