Producten
CVD tantaalcarbide (TaC) gecoate susceptor
  • CVD tantaalcarbide (TaC) gecoate susceptorCVD tantaalcarbide (TaC) gecoate susceptor
  • CVD tantaalcarbide (TaC) gecoate susceptorCVD tantaalcarbide (TaC) gecoate susceptor
  • CVD tantaalcarbide (TaC) gecoate susceptorCVD tantaalcarbide (TaC) gecoate susceptor

CVD tantaalcarbide (TaC) gecoate susceptor

De VETEK CVD TaC gecoate susceptor combineert een zeer zuiver isostatisch grafietsubstraat met een dichte CVD tantaalcarbide (TaC) coating voor uitzonderlijke thermische stabiliteit, corrosieweerstand en lage deeltjesgeneratie voor veeleisende halfgeleiderepitaxie. Het is ontworpen voor epitaxiale groei van SiC, GaN en AlN, minimaliseert verontreiniging, verbetert de uniformiteit van de wafeltemperatuur en verlengt de levensduur van componenten bij MOCVD- en CVD-processen bij hoge temperaturen.

Belangrijkste kenmerken

Stabiliteit bij hoge temperaturen: Behoudt stabiele prestaties onder langdurige verwerkingsomstandigheden bij hoge temperaturen.
Corrosiebestendigheid: De dichte TaC-coating biedt effectieve bescherming tegen corrosieve procesgassen.
Lage deeltjesgeneratie: een dichte coatingstructuur helpt vervuiling tijdens epitaxiale groei te verminderen.
Uitstekende thermische uniformiteit: Ondersteunt een uniforme warmteverdeling voor verbeterde procesconsistentie.
Lange levensduur: Hoge slijtvastheid draagt ​​bij aan minder onderhoud en langere bedrijfscycli.


Toepassingen

Typische toepassingen zijn onder meer:

• SiC epitaxiale groei

• GaN MOCVD-epitaxie

• AlN epitaxiale groei

• Productie van halfgeleiders van de derde generatie

• Krachtige elektronica

• RF-apparaten

• MicroLED-productie

• Onderzoek en proefproductiesystemen


Compatibele apparatuur

Compatibele platforms zijn onder meer:

• Aixtron

• LPE

• Veeco

• AMEC

• NuFlare

• Aangepaste CVD- en MOCVD-reactoren


Ook verkrijgbaar:

• Waferdragers

• Planetaire susceptoren

• Vat susceptors

• Rotatieschijven

• Halvemaandelen

• Afdekplaten

• Grafietassemblages

• Aangepaste thermische veldcomponenten


Technische specificaties

Substraatmateriaal

Zeer zuiver isostatisch grafiet

Coatingmateriaal

CVD Tantaalcarbide (TaC)

Laagdikte
20–40 μm (aanpasbaar)
Zuiverheid van de coating
Tot 99,9995%
Maximale werktemperatuur

>2000°C (inerte atmosfeer)

Dikte
14,3 g/cm³
Hardheid
~2000 HK
Thermische uitzettingscoëfficiënt
6,3 × 10⁻⁶/K
Elektrische weerstand
1 × 10⁻⁵Ω·cm
Beschikbare maten
Aangepast
Typische toepassingen
SiC, GaN, AlN Epitaxie

Veelgestelde vragen

1. Wat is een CVD TaC-gecoate susceptor?

Een zeer zuivere grafietcomponent beschermd door een dichte CVD TaC-coating die wordt gebruikt als wafeldrager tijdens epitaxiale groei.

2. Waarom TaC-coa gebruiken?in plaats van SiC-coating?

TaC biedt een hogere temperatuurbestendigheid, superieure chemische stabiliteit en een langere levensduur.

3.Welke halfgeleiderprocessen gebruiken TaC-coated susceptoren?

SiC-epitaxie, GaN MOCVD, AlN-epitaxie en andere kristalgroeiprocessen bij hoge temperaturen.

4. Kan VETEK op maat gemaakte susceptoren vervaardigen?

Ja. Wij bieden op maat gemaakte ontwerpen op basis van klanttekeningen en procesvereisten.

5. Welke reactormerken worden ondersteund?

Aixtron, LPE, Veeco, AMEC, NuFlare en andere reguliere systemen.


Hottags: CVD TaC gecoate susceptor, TaC gecoate grafiet susceptor, halfgeleider susceptor, SiC epitaxie susceptor, MOCVD susceptor, grafiet wafeldrager, tantaalcarbide coating, epitaxiale susceptor, halfgeleider grafietonderdelen
Stuur onderzoek
Contact informatie
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies.Privacybeleid