CVD TAC gecoate drie-Petal Guide Ring

Siliciumcarbide enkel kristallen substraatmateriaal is een soort kristalmateriaal, dat behoort tot brede bandgap halfgeleidermateriaal. Het heeft de voordelen van hoogspanningsweerstand, weerstand van hoge temperatuur, hoge frequentie, laag verlies, enz. Het is een basismateriaal voor het bereiden van elektronische apparaten met kracht en microgolfradiofrequentie-apparaten. Momenteel zijn de belangrijkste methoden voor het kweken van SIC -kristallen fysiek damptransport (PVT -methode), chemische dampafzetting met hoge temperatuur (HTCVD -methode), vloeibare fasemethode, enz.

De methode Physical Vapor Transport (PVT) is een goed gevestigde techniek die zeer geschikt is voor grootschalige industriële productie. In dit proces wordt een SIC -zaadkristal aan de bovenkant van de smeltkroes geplaatst, terwijl SIC -poeder, die als grondstof dient, op de smeltkroes wordt geplaatst. Onder de omstandigheden van hoge temperatuur en lage druk in een gesloten omgeving sublimeert het SIC -poeder. Gedreven door de temperatuurgradiënt en het concentratieverschil, bewegen de gesublimeerde soorten omhoog naar het gebied nabij het zaadkristal. Zodra het bereiken van een oververzadigde toestand, treedt herkristallisatie op, waardoor nauwkeurige controle mogelijk is over de grootte en het specifieke kristaltype van de gekweekte SIC -kristallen.

De CVD TAC gecoat drie - bloembladgeleiderring bedient meerdere cruciale functies. In de eerste plaats verbetert het de vloeistofmechanica door de gasstroom te begeleiden, zodat het kristalgroeipergebied wordt blootgesteld aan een uniforme atmosfeer. Bovendien dissipeert het effectief warmte tijdens het SIC -kristalgroeiproces. Door de juiste temperatuurgradiënt te handhaven, optimaliseert het de groeiomstandigheden voor SIC -kristallen en vermindert het het risico op kristaldefecten veroorzaakt door ongelijke temperatuurverdeling.