Tantaalcarbide (TaC) gecoat poreus grafiet voor SiC-kristalgroei

VeTek Semiconductor Tantaalcarbide gecoat poreus grafiet is ontworpen om de SiC-kristalgroeiomgeving te optimaliseren via vier technische kernfuncties:

● Dampcomponentfiltratie: De precieze poreuze structuur fungeert als een zeer zuiver filter, waardoor alleen de gewenste dampfasen bijdragen aan de kristalvorming, waardoor de algehele zuiverheid wordt verbeterd.

● Precisie temperatuurregeling: De TaC-coating verbetert de thermische stabiliteit en geleidbaarheid, waardoor nauwkeurigere aanpassingen van lokale temperatuurgradiënten en betere controle over de groeisnelheid mogelijk zijn.

● Begeleide stroomrichting: Het structurele ontwerp maakt een geleide stroom van stoffen mogelijk, waardoor materialen precies daar worden afgeleverd waar ze nodig zijn om een ​​uniforme groei te bevorderen.

● Effectieve lekkagecontrole: Ons product biedt uitstekende afdichtingseigenschappen om de integriteit en stabiliteit van de groeiatmosfeer te behouden.

Fysische eigenschappen van TaC-coating

Vergelijking met traditioneel grafiet

Tantaalcarbide (TaC) coating op een microscopische dwarsdoorsnede

Impact van toepassingen: minimalisering van defecten in het PVT-proces

In het PVT-proces (Physical Vapor Transport) lost het vervangen van conventioneel grafiet door VeTek's TaC Coated Porous Graphite direct de veel voorkomende defecten op die in het diagram worden weergegeven:

● Ehet beperken van koolstofinsluitingen: Door te fungeren als een barrière tegen vaste deeltjes, elimineert het effectief koolstofinsluitsels en vermindert het de micropipes die gebruikelijk zijn in traditionele smeltkroezen.

● Behoud van structurele integriteit: Het voorkomt de vorming van etsputten en microtubuli tijdens de lange-cyclische groei van SiC-monokristallen.

● Hogere opbrengst en kwaliteit: Vergeleken met traditionele materialen zorgen de met TaC gecoate componenten voor een schonere groeiomgeving, wat resulteert in een aanzienlijk hogere kristalkwaliteit en productieopbrengst.