CVD SIC Coating Protector

Productpositionering en kernfuncties ：

CVD SIC -coatingbeschermer is een belangrijk onderdeel in LPE siliciumcarbide epitaxiale apparatuur, voornamelijk gebruikt om de interne structuur van de reactiekamer te beschermen en de processtabiliteit te verbeteren. De kernfuncties zijn omvatten:

Corrosiebescherming: de siliciumcarbide -coating gevormd door het chemische dampafzetting (CVD) -proces kan de chemische corrosie van chloor/fluorplasma weerstaan ​​en is geschikt voor harde omgevingen zoals etsenapparatuur;

Thermisch beheer: de hoge thermische geleidbaarheid van siliciumcarbidemateriaal kan de temperatuuruniformiteit in de reactiekamer optimaliseren en de kwaliteit van de epitaxiale laag verbeteren;

Vermindering van de vervuiling: als voeringcomponent kan het voorkomen dat de bijproducten van de reactie rechtstreeks contact opnemen met de kamer en de onderhoudscyclus van apparatuur verlengen.

Technische kenmerken en ontwerp:

Structureel ontwerp:

Meestal verdeeld in bovenste en onderste halve maanonderdelen, symmetrisch geïnstalleerd rond de lade om een ​​ringvormige beschermende structuur te vormen;

Werk samen met componenten zoals trays en gasdouchekoppen om de luchtstroomverdeling en plasma -focuseffecten te optimaliseren.

Coatingproces:

De CVD-methode wordt gebruikt om SIC-coatings van hoge zuiverheid te deponeren, met een uniformiteit van filmdikte binnen ± 5% en een oppervlakteruwheid zo laag als RA≤0,5μm;

De typische coatingdikte is 100-300 μm en kan een omgeving met hoge temperatuur van 1600 ℃ weerstaan.

Toepassingsscenario's en prestatievoordelen ：

Toepasselijke apparatuur:

Voornamelijk gebruikt voor LPE's 6-inch 8-inch siliciumcarbide epitaxiale oven, ter ondersteuning van SIC homoepitaxiale groei;

Geschikt voor etsapparatuur, MOCVD -apparatuur en andere scenario's die een hoge corrosieweerstand vereisen.

Belangrijkste indicatoren:

Thermische expansiecoëfficiënt: 4,5 × 10⁻⁶/k (matching met grafietsubstraat om thermische spanning te verminderen);

Weerstand: 0,1-10Ω · cm (voldoen aan de geleidbaarheidsvereisten);

Leven in de dienst: 3-5 keer langer dan traditionele kwarts/siliciummaterialen.

Technische barrières en uitdagingen

Dit product moet procesproblemen overwinnen, zoals coatinguniformiteitscontrole (zoals randdiktecompensatie) en substraat-coating interface-bindingsoptimalisatie (≥30 MPa), en moet tegelijkertijd overeenkomen met de snelle rotatie (1000 tpm) en temperatuurgradiëntvereisten van de LPE-apparatuur.