Crucibel voor monokristallijn silicium

In de CZ (Czochralski) -methode wordt een enkel kristal gekweekt door een monokristallijn zaad in contact te brengen met gesmolten polykristallijn silicium. Het zaad wordt geleidelijk omhoog getrokken terwijl hij langzaam wordt gedraaid. In dit proces wordt een aanzienlijk aantal grafietonderdelen gebruikt, waardoor het de methode is die de hoogste hoeveelheid grafietcomponenten gebruikt in de productie van silicium halfgeleiders.

De rechter foto biedt een schematische weergave van een silicium single-crystal productiefoven op basis van de CZ-methode.

Vetek Semiconductor's Crucible voor monokristallijn silicium biedt een stabiele en gecontroleerde omgeving die cruciaal is voor de precieze vorming van halfgeleiderkristallen. Ze hebben een belangrijke rol bij het groeien van monokristallijne silicium-ingots met behulp van geavanceerde technieken zoals het czochralski-proces en float-zone-methoden, die van vitaal belang zijn voor het produceren van hoogwaardige materialen voor elektronische apparaten.

Ontwikkeld voor uitstekende thermische stabiliteit, chemische corrosieweerstand en minimale thermische expansie, deze smeltkroes zorgen voor duurzaamheid en robuustheid. Ze zijn ontworpen om zware chemische omgevingen te weerstaan ​​zonder in gevaar te brengen structurele integriteit of prestaties, waardoor de levensduur van de Crucible wordt verlengd en consistente prestaties bij langdurig gebruik behouden.

De unieke samenstelling van Vetek Semiconductor-smeltkroes voor monokristallijn silicium stelt hen in staat om de extreme omstandigheden van de verwerking van hoge temperatuur te doorstaan. Dit garandeert uitzonderlijke thermische stabiliteit en zuiverheid, die van cruciaal belang zijn voor de verwerking van halfgeleiders. De samenstelling vergemakkelijkt ook een efficiënte warmteoverdracht, bevordert uniforme kristallisatie en minimalisatie van thermische gradiënten in de siliciumsmelt.

✔ Beveiliging van de basismateriaal: DeCVD SIC -coatingwerkt als een beschermende laag tijdens het epitaxiale proces, waardoor het basismateriaal effectief wordt afgeschermd tegen erosie en schade veroorzaakt door de externe omgeving. Deze beschermende maatregel verlengt de levensduur van de apparatuur sterk.

✔ Uitstekende thermische geleidbaarheid: Onze CVD SIC -coating bezit een uitstekende thermische geleidbaarheid en brengt efficiënt warmte over van het basismateriaal naar het coatingoppervlak. Dit verbetert de efficiëntie van de thermische beheer tijdens epitaxie en zorgt voor een optimale bedrijfstemperaturen voor de apparatuur.

✔ Verbeterde filmkwaliteit: De CVD SIC -coating biedt een plat en uniform oppervlak, waardoor een ideale basis ontstaat voor filmgroei. Het vermindert defecten als gevolg van mismatch van rooster, verbetert de kristalliniteit en kwaliteit van de epitaxiale film en verbetert uiteindelijk de prestaties en betrouwbaarheid.