Waferdrager met SiC-coating

De chipproductie is onlosmakelijk verbonden met wafers. Bij het wafelvoorbereidingsproces zijn er twee kernschakels: de ene is de voorbereiding van het substraat en de andere is de implementatie van het epitaxiale proces. Het substraat kan direct in het wafelproductieproces worden geplaatst om halfgeleiderapparaten te produceren, of verder worden verbeterd door middel van het productieprocesepitaxiaal proces. 

Epitaxie is om een ​​nieuwe laag enkel kristal te laten groeien op een enkel kristallen substraat dat fijn is verwerkt (snijden, slijpen, polijsten, enz.). Omdat de nieuw geteelde enkele kristallaag zal uitzetten volgens de kristalfase van het substraat, wordt deze een epitaxiale laag genoemd. Wanneer de epitaxiale laag op het substraat groeit, wordt het geheel een epitaxiale wafel genoemd. De introductie van epitaxiale technologie lost slim veel defecten van enkele substraten op.

In de epitaxiale groeioven kan het substraat niet willekeurig worden geplaatst, enwafeldrageris vereist om het substraat op de waferhouder te plaatsen voordat epitaxiale afzetting op het substraat kan worden uitgevoerd. Deze wafelhouder is de met SiC gecoate wafeldrager.

Dwarsdoorsnede van de EPI-reactor

Een hoogwaardigeSic coatingwordt toegepast op het oppervlak van SGL -grafiet met behulp van CVD -technologie:

Met behulp van SIC -coating, veel eigenschappen vanSIC gecoate wafelhouderzijn aanzienlijk verbeterd:

●  Antioxiderende eigenschappen: SIC -coating heeft een goede oxidatieresistentie en kan de grafietmatrix beschermen tegen oxidatie bij hoge temperaturen en de levensduur van de services verlengen.

● Bestand tegen hoge temperaturen: Het smeltpunt van SIC -coating is erg hoog (ongeveer 2700 ° C). Na het toevoegen van SIC -coating aan grafietmatrix, kan het hogere temperaturen weerstaan, wat gunstig is voor de toepassing in de omgeving van epitaxiale groeikoven.

● Corrosieweerstand: Grafiet is vatbaar voor chemische corrosie in bepaalde zure of alkalische omgevingen, terwijl SIC -coating een goede weerstand heeft tegen zuur- en alkali -corrosie, dus het kan lange tijd worden gebruikt in epitaxiale groeivokken.

● Draag weerstand: SiC-materiaal heeft een hoge hardheid. Nadat grafiet is gecoat met SiC, wordt het niet gemakkelijk beschadigd bij gebruik in een epitaxiale groeioven, waardoor de materiaalslijtage wordt verminderd.

Het halfgeleidermaakt gebruik van de beste materialen en de meest geavanceerde verwerkingstechnologie om klanten te voorzien van toonaangevende SiC-gecoate waferdragerproducten. Het sterke technische team van VeTek Semiconductor is altijd toegewijd aan het op maat maken van de meest geschikte producten en de beste systeemoplossingen voor klanten.

SEM-GEGEVENS VAN CVD SIC-FILM

Het halfgeleiderSiC-gecoate waferdragerwinkels