Producten
LPE SiC EPI Halve Maan
  • LPE SiC EPI Halve MaanLPE SiC EPI Halve Maan
  • LPE SiC EPI Halve MaanLPE SiC EPI Halve Maan

LPE SiC EPI Halve Maan

LPE SiC Epi Halfmoon is een speciaal ontwerp voor een horizontale epitaxieoven, een revolutionair product dat is ontworpen om SiC-epitaxieprocessen in de LPE-reactor te verbeteren. Deze geavanceerde oplossing beschikt over verschillende belangrijke kenmerken die superieure prestaties en efficiëntie tijdens uw productieactiviteiten garanderen. Vetek Semiconductor is professioneel in het vervaardigen van LPE SiC Epi halvemaan in 6 inch, 8 inch. Ik kijk ernaar uit om een ​​langdurige samenwerking met u op te zetten.

Als de professionele LPE SIC EPI Halfmoon -fabrikant en leverancier, wil Vetek Semiconductor u van hoge kwaliteit LPE SIC EPI -halfmoon leveren.


LPE SiC Epi Halfmoon van VeTek Semiconductor, een revolutionair product ontworpen om SiC-epitaxieprocessen in LPE-reactoren te verbeteren. Deze geavanceerde oplossing beschikt over verschillende belangrijke kenmerken die superieure prestaties en efficiëntie tijdens uw productieactiviteiten garanderen.


De LPE SIC EPI Halfmoon biedt uitzonderlijke precisie en nauwkeurigheid, waardoor uniforme groei en hoogwaardige epitaxiale lagen worden gegarandeerd. Het innovatieve ontwerp- en geavanceerde productietechnieken bieden optimale waferondersteuning en thermisch beheer, waardoor consistente resultaten worden geleverd en defecten worden geminimaliseerd. Bovendien is de LPE SIC EPI -halfmoon gecoat met een premium tantalum carbide (TAC) -laag, waardoor de prestaties en duurzaamheid worden verbeterd. Deze TAC -coating verbetert de thermische geleidbaarheid, chemische weerstand en slijtvastheid aanzienlijk, waarmee het product wordt beschadigd en zijn levensduur wordt verlengd.


De integratie van de TAC -coating in de LPE SIC EPI -halfmoon brengt aanzienlijke verbeteringen in uw processtroom. Het verbetert het thermische beheer, zorgt voor een efficiënte warmtedissipatie en het handhaven van een stabiele groeitemperatuur. Deze verbetering leidt tot verbeterde processtabiliteit, verminderde thermische stress en verbeterde totale opbrengst. Bovendien minimaliseert de TAC -coating materiaalverontreiniging, waardoor een schoner en meer mogelijk is Gecontroleerd epitaxie -proces. Het fungeert als een barrière tegen ongewenste reacties en onzuiverheden, wat resulteert in hogere purity epitaxiale lagen en verbeterde apparaatprestaties.


Kies Vetek Semiconductor's LPE SIC EPI -halfmoon voor ongeëvenaarde epitaxy -processen. Ervaar de voordelen van zijn geavanceerde ontwerp, precisie en de transformerende kracht van deTAC -coatingbij het optimaliseren van uw productieactiviteiten. Verhoog uw prestaties en bereik uitzonderlijke resultaten met de toonaangevende oplossing van Vetek Semiconductor.


Productparameter van de LPE SIC EPI -halfmoon

Fysische eigenschappen van TaC-coating
Coatingdichtheid 14.3 (g/cm³)
Specifieke emissiviteit 0.3
Thermische expansiecoëfficiënt 6,3*10-6/K
TaC-coating Hardheid (HK) 2000 Hongkong
Weerstand 1×10-5Ohm*cm
Thermische stabiliteit <2500 ℃
Grafietgrootte verandert -10 ~ -20um
Dikte van de coating ≥20um typische waarde (35um±10um)


VeTek Semiconductor LPE SiC EPI Halfmoon-productiewinkel

VeTek Semiconductor LPE SiC EPI Halfmoon Production Shop


Overzicht van de Semiconductor Chip Epitaxy Industry Chain:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


Hottags: LPE SiC EPI Halve Maan
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept