Producten
Halfmoon voor LPE-reactiekamer
  • Halfmoon voor LPE-reactiekamerHalfmoon voor LPE-reactiekamer
  • Halfmoon voor LPE-reactiekamerHalfmoon voor LPE-reactiekamer
  • Halfmoon voor LPE-reactiekamerHalfmoon voor LPE-reactiekamer

Halfmoon voor LPE-reactiekamer

De Halfmoon is een grafietcomponent die wordt gebruikt in LPE SiC-reactoren, voornamelijk geïnstalleerd rond de hete zone van de kamer. Hoewel het niet rechtstreeks in contact komt met de wafer, speelt het nog steeds een rol bij de stabiliteit van de gasstroom en de werking van de reactor tijdens epitaxiale groei. Om hoge temperaturen en reactieve procesomstandigheden aan te kunnen, wordt het onderdeel meestal beschermd met CVD SiC-coating, terwijl voor sommige toepassingen ook TaC-coating beschikbaar is. VETEK levert ook grafietviltisolatie en andere gecoate grafietonderdelen voor SiC-epitaxiesystemen.

Wat is een halve maan in een LPE-reactiekamer?

Halfmoon in an LPE Reaction Chamber Diagram

In veel LPE horizontale reactoren maakt de Halfmoon deel uit van de interne kamerconstructie. Verschillende fabrikanten van apparatuur kunnen enigszins verschillende structuren gebruiken, maar de functie is over het algemeen vergelijkbaar. Het onderdeel is meestal verdeeld in bovenste en onderste secties:

  • Bovenste halvemaan:Het bovenste deel fungeert voornamelijk als draagconstructie binnen de reactor. Omdat het lange tijd dicht bij de proceszone met hoge temperatuur blijft, moet het materiaal na herhaalde thermische cycli stabiel blijven zonder duidelijke vervorming. Een ander belangrijk punt is de chemische stabiliteit. Tijdens SiC-epitaxie bevat de kameromgeving reactieve gassen, dus het grafietoppervlak moet goed worden beschermd.
  • Lagere halvemaan:Het onderste gedeelte is verbonden nabij het kwartsbuisgebied en het roterende geheel. Het is betrokken bij de gasintroductie en mechanische ondersteuning tijdens epitaxiale groei. Vergeleken met gewone structurele onderdelen van grafiet, wordt de onderste Halfmoon doorgaans geconfronteerd met hogere eisen op het gebied van oxidatieweerstand en thermische schokstabiliteit vanwege de continue verwarming en koeling tijdens de werking van de reactor.


Belangrijkste kenmerken van VETEK Halfmoon voor LPE-reactiekamer


1. Grafietsubstraat met hoge zuiverheid

Het basismateriaal is zeer zuiver grafiet, geschikt voor halfgeleiderprocesomgevingen. Materiaalzuiverheid is belangrijk bij SiC-epitaxie omdat metaalverontreiniging de kristalgroeistabiliteit en filmkwaliteit kan beïnvloeden. VETEK gebruikt voor deze toepassing gezuiverde grafietmaterialen met gecontroleerde onzuiverheidsniveaus.


2. Geavanceerde CVD SiC- en TaC-coating

De meeste Halfmoon-componenten zijn gecoat met CVD SiC om de oppervlaktebescherming onder procesomstandigheden bij hoge temperaturen te verbeteren. Voor meer veeleisende omgevingen is ook TaC-coating beschikbaar. Typische voordelen van gecoate constructies zijn onder meer:

  • betere weerstand tegen corrosieve procesgassen
  • lagere deeltjesgeneratie
  • verbeterde duurzaamheid van het oppervlak
  • betere stabiliteit tijdens thermische cycli

 

In de praktijk hangt de keuze van de coating meestal af van de reactortemperatuur, de proceschemie en de verwachte levensduur.


3. Uitstekende thermische stabiliteit

De VETEK Halfmoon is ontworpen voor halfgeleiderverwerkingsomgevingen met hoge temperaturen en behoudt zijn dimensionele stabiliteit en structurele integriteit tijdens langdurige epitaxiale cycli, waardoor hij zeer geschikt is voor LPE- en MOCVD-apparatuur.


4. Precisie CNC-bewerking

VETEK beschikt over geavanceerde CNC-precisiebewerkingsmogelijkheden met dimensionale controle op micronniveau, waardoor uitstekende compatibiliteit met complexe LPE-reactorstructuren en aangepaste apparatuurvereisten wordt gegarandeerd.


5. Lange levensduur

Door geoptimaliseerde coatinghechtingstechnologie en zeer zuivere materiaalverwerking vertonen VETEK Halfmoon-componenten uitstekende duurzaamheid onder herhaalde thermische cycli en corrosieve procesgassen, waardoor de onderhoudsfrequentie en de totale bedrijfskosten worden verlaagd.


Technische voordelen

Functie
VETEK Halvemaan
Basismateriaal
Grafiet met hoge zuiverheid
Oppervlaktebehandeling
CVD SiC-coating / optionele TaC-coating
Bedrijfstemperatuur
tot 2000°C+
Laagdikte
50 – 200 μm (instelbaar)
Zuiverheid van de coating
>99,99999%
Sollicitatie
SiC-epitaxie / LPE-reactor
Temperatuurbestendigheid
Uitstekende stabiliteit bij hoge temperaturen
Corrosiebestendigheid
Uitstekend
Uniformiteit van de coating
Hoge precisiecontrole
Deeltjescontrole
Lage deeltjesgeneratie
Maatwerk
Beschikbaar
Compatibiliteit van apparatuur
LPE / Aangepaste systemen


Toepassingen


De VETEK Halfmoon voor LPE-reactiekamer wordt veel gebruikt in:

  • Siliciumcarbide (SiC) epitaxiesystemen
  • LPE horizontale reactoren
  • Apparatuur voor epitaxiale groei van halfgeleiders
  • CVD-proceskamers op hoge temperatuur
  • Geavanceerde halfgeleider thermische veldsystemen
  • SiC-kristalgroeisystemen
  • Halfgeleiderproductie van de derde generatie

Onze producten zijn compatibel met meerdere reguliere apparatuurplatforms in de industrie en kunnen worden aangepast volgens klanttekeningen of reactorspecificaties.


Waarom kiezen voor VETEK Semiconductor?


VETEK Semiconductor richt zich al jaren op halfgeleidergrafietcomponenten en coatingtechnologieën. Sinds 2016 heeft het bedrijf zijn capaciteiten op het gebied van zuiveringsverwerking, precisiegrafietbewerking en CVD-coatingproductie voor halfgeleidertoepassingen verder ontwikkeld.

VETEK-mogelijkheden:

  • Ervaring met SiC-epitaxiecomponenten en reactoronderdelen
  • Eigen CVD SiC- en TaC-coatingproductie
  • Materiaalzuiveringscontrole op halfgeleiderniveau
  • Maatwerk op basis van tekeningen of monsters
  • Stabiele productiecapaciteit voor batchbestellingen
  • Levering van grafietvilt en thermische veldmaterialen
  • ISO9001 kwaliteitsmanagementsysteem
  • Technische ondersteuning voor buitenlandse klanten


Veelgestelde vragen


(1) Wat is de functie van de Halfmoon in een LPE-reactor?

De Halfmoon-component ondersteunt gasstroomgeleiding, kamerstructuurintegratie, temperatuurbeheer en susceptorrotatie in de epitaxiale reactiekamer.

(2) Staat de Halve Maan in direct contact met de wafel?

Normaal gesproken niet. In de meeste LPE-reactorstructuren blijft de Halfmoon rond de kamerconstructie in plaats van de wafer rechtstreeks aan te raken.

(3) Waarom een ​​SiC- of TaC-coating op het oppervlak gebruiken?

De coating dient vooral ter bescherming. Tijdens SiC-epitaxie worden grafietonderdelen gedurende lange perioden blootgesteld aan hoge temperaturen en reactieve gassen. Coating helpt de oxidatieweerstand te verbeteren en vermindert oppervlakteslijtage en deeltjesvorming.

(4) Kan het onderdeel worden aangepast?

Ja. De meeste Halfmoon-onderdelen worden feitelijk gemaakt volgens de reactorstructuur en klanttekeningen, omdat afmetingen en installatiedetails vaak variëren tussen apparatuurplatforms.

  

Hottags: Halfmoon voor LPE-reactiekamer
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies.Privacybeleid
AfwijzenAccepteren