Veeco Mocvd Providence

Het halfgeleiderVeeco MocvdWafer susceptor is een kritieke component, zorgvuldig ontworpen met behulp van ultrazekering grafiet met eenSiliconencarbide (SIC) coating. DitSic coatingBiedt talloze voordelen, met name een efficiënte thermische overdracht naar het substraat mogelijk maken. Het bereiken van een optimale thermische verdeling over het substraat is essentieel voor uniforme temperatuurregeling, waardoor consistente, hoogwaardige dunne-filmafzetting zorgt, wat cruciaal is in de fabricage van het halfgeleiderapparaat.

Technische parameters

Matrix van materiaaleigenschappen

Belangrijkste indicatoren Vetek standaard traditionele oplossingen

Basismateriaal Zuiverheid 6n isostatisch grafiet 5n gevormd grafiet

CTE bijpassende graad (25-1400 ℃) Δα ≤0,3 × 10⁻⁶/ k Δα ≥1,2 × 10⁻⁶/ k

Thermische geleidbaarheid @800 ℃ 110 w/m · k 85 w/m · k

Oppervlakteruwheid (RA) ≤0,1μm ≥0,5 uM

Zure tolerantie (pH = 1@80 ℃) 1500 cycli 300 cycli

Kernvoordeel Reconstructie

Innovatie van thermische management

Atomic CTE matching -techniek

Japan Toyo Carbon Graphite/SGL -substraat + gradiënt SIC -coating

Thermische cyclusspanning verminderd met 82% (gemeten 1400 ℃↔RT 500 cycli zonder kraken)

Intelligent thermisch veldontwerp

12-zone temperatuurcompensatiestructuur: bereikt ± 0,5 ℃ uniformiteit op het oppervlak van de φ200 mm wafer

Dynamische thermische respons: temperatuurgradiënt ≤1,2 ℃/cm bij 5 ℃/s verwarmingssnelheid

Chemisch beschermingssysteem
Drievoudige samengestelde barrière

50 μm dichte SIC hoofdbeschermende laag

Nanotac -overgangslaag (optioneel)

Gasfase infiltratieverdichting

Geverifieerd door ASTM G31-21:

CL -basiscorrosiesnelheid <0,003 mm/jaar

NH3 blootgesteld voor 1000H zonder korrel grenscorrosie

Intelligent productiesysteem

Digitale tweelingverwerking

Machinecentrum van vijfassen: positie nauwkeurigheid ± 1,5 μm

Online 3D -scaninspectie: 100% volledige verificatie (in overeenstemming met ASME Y14.5)

Scenario-gebaseerde waardepresentatie

Derde generatie halfgeleider massaproductie

Toepassingsscenario -procesparameters Klantvoordelen

Gan Hemt 6 inch /150 μm epitaxiale tweedimensionale elektronengasdichtheidsfluctuatie <2%

SIC MOSFET C DOPING -uniformiteit ± 3% drempelspanningafwijking wordt verminderd met 40%

Micro LED -golflengte -uniformiteit ± 1,2 nm chip bin rate nam toe met 15%

Optimalisatie van onderhoudskosten

Reinigingsperiode wordt 3 keer verlengd: HF: HNO ₃ = 1: 3 Hoge intensiteitsreiniging wordt ondersteund

Reserveonderdelen Life Prediction System: AI -algoritme Nauwkeurigheid van ± 5%

Vetek Semiconductor Veoeco Mocvd Susceptor Shops: