Producten
MOCVD SUSCEPTOR met TAC -coating
  • MOCVD SUSCEPTOR met TAC -coatingMOCVD SUSCEPTOR met TAC -coating

MOCVD SUSCEPTOR met TAC -coating

Vetek Semiconductor is een uitgebreide leverancier die betrokken is bij het onderzoek, de ontwikkeling, de productie, het ontwerp en de verkoop van TAC -coatings en SIC -coatingonderdelen. Onze expertise ligt in de productie van state-of-the-art MOCVD Susceptor met TAC-coating, die een cruciale rol spelen in het LED-epitaxie-proces. Wij verwelkomen u om met Amerikaanse vragen en meer informatie te bespreken.

VEtek Semiconductor is een toonaangevende Chinese fabrikant, leverancier en exporteur die gespecialiseerd is in MOCVD Susceptor metTaC-coating. U bent welkom om naar onze fabriek te komen om de nieuwste verkoop-, lage prijs- en hoogwaardige MOCVD-susceptors met TAC-coating te kopen. We kijken ernaar uit om met u samen te werken.


LED-epitaxie wordt geconfronteerd met uitdagingen zoals controle van de kristalkwaliteit, materiaalselectie en -matching, structureel ontwerp en optimalisatie, procescontrole en consistentie, en efficiëntie van lichtextractie. Het kiezen van het juiste dragermateriaal voor epitaxiewafels is cruciaal, en het coaten ervan met tantaalcarbide (TaC) dunne film (TaC-coating) biedt extra voordelen.


Bij het selecteren van een dragermateriaal voor epitaxiewafels moeten verschillende belangrijke factoren in overweging worden genomen:


● Temperatuurtolerantie en chemische stabiliteit: LED-epitaxieprocessen brengen hoge temperaturen met zich mee en kunnen het gebruik van chemicaliën met zich meebrengen. Daarom is het noodzakelijk om materialen te kiezen met een goede temperatuurtolerantie en chemische stabiliteit om de stabiliteit van de drager in hoge temperatuur- en chemische omgevingen te garanderen.

● Vlakheid van het oppervlak en de weerstand: Het oppervlak van de epitaxiewafeldrager moet een goede vlakheid hebben om uniform contact en stabiele groei van de epitaxiewafel te garanderen. Bovendien is slijtvastheid belangrijk om oppervlaktebeschadiging en slijtage te voorkomen.

● Thermische geleidbaarheid: Het kiezen van een materiaal met een goede thermische geleidbaarheid helpt warmte effectief te verdrijven, het handhaven van een stabiele groeitemperatuur voor de epitaxie -laag en het verbeteren van processtabiliteit en consistentie.


In dit opzicht biedt het coaten van de epitaxiewafeldrager met TaC de volgende voordelen:


● Stabiliteit op hoge temperatuur: TAC-coating vertoont uitstekende stabiliteit op hoge temperatuur, waardoor het zijn structuur en prestaties kan handhaven tijdens epitaxieprocessen op hoge temperatuur en een superieure temperatuurtolerantie biedt.

● Chemische stabiliteit: TAC -coating is resistent tegen corrosie van gemeenschappelijke chemicaliën en atmosferen, het beschermen van de drager tegen chemische afbraak en het verbeteren van de duurzaamheid ervan.

● Hardheid en slijtvastheid: TAC -coating bezit een hoge hardheid en slijtvastheid, het versterken van het oppervlak van de epitaxie -waferdrager, het verminderen van schade en slijtage en het verlengen van de levensduur.

● Thermische geleidbaarheid: TAC -coating vertoont een goede thermische geleidbaarheid, helpen bij warmtedissipatie, het handhaven van een stabiele groeitemperatuur voor de epitaxie -laag en het verbeteren van processtabiliteit en consistentie.


Daarom helpt het kiezen van een epitaxy-wafer drager met een TAC-coating de uitdagingen van LED-epitaxie aan, die voldoen aan de vereisten van hoge temperatuur en chemische omgevingen. Deze coating biedt voordelen zoals stabiliteit op hoge temperatuur, chemische stabiliteit, hardheid en slijtvastheid en thermische geleidbaarheid, wat bijdraagt ​​aan verbeterde prestaties, levensduur en productie-efficiëntie van de Epitaxy Wafer Carrier.


Basisfysische eigenschappen van TAC -coating:


Fysische eigenschappen van TaC-coating
Coatingdichtheid 14,3 (g/cm³)
Specifieke emissiviteit 0.3
Thermische uitzettingscoëfficiënt 6,3*10-6/K
TaC-coating Hardheid (HK) 2000 Hongkong
Weerstand 1 × 10-5Ohm*cm
Thermische stabiliteit <2500 ℃
Grafietgrootte verandert -10 ~ -20um
Dikte van de coating ≥20um typische waarde (35um ± 10um)


VeTek-halfgeleiderMOCVD SUSCEPTOR met TAC -coatingProductie winkel

SiC Graphite substrateMOCVD Susceptor with TaC Coating testSilicon carbide ceramic processingSemiconductor process equipment


Overzicht van de Semiconductor Chip Epitaxy Industry Chain:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain

Hottags: MOCVD SUSCEPTOR met TAC -coating
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept