Zeer zuivere grafietring

Het proces vanGaN epitaxiaalde groei vindt plaats in een corrosieve omgeving met hoge temperaturen. De hete zone van de GaN epitaxiale groeioven is meestal uitgerust met hittebestendige en corrosiebestendige grafietonderdelen met een hoge zuiverheidsgraad, zoals verwarmingselementen, smeltkroezen, grafietelektroden, smeltkroeshouders, elektrodemoeren, enz. Grafietringafdichting is een van de belangrijke onderdelen.

De zeer zuivere grafietring van VeTek Semiconductor is gemaakt van puur grafiet met extreem hoge zuiverheid en het asgehalte van het eindproduct kan <5PPM zijn.

En de grafietringen hebben de kenmerken van hoge temperatuurbestendigheid en corrosieweerstand, goede elektrische en thermische geleidbaarheid, chemische stabiliteit en thermische schokbestendigheid, waardoor ze geschikt zijn voor gebruik in GaN epitaxiale groeiovens.

De zeer zuivere grafietringen van VeTek Semiconductor zijn gemaakt van grafiet van de hoogste kwaliteit, met stabiele prestaties en een lange levensduur. Als u GaN epitaxiale groei moet uitvoeren, zijn onze zeer zuivere grafietringen de beste keuze voor grafietonderdelen.

VeTek Semiconductor kan klanten voorzien van zeer op maat gemaakte producten, of het nu gaat om de maat of het materiaal van de ring, het kan aan de verschillende eisen van klanten voldoen. Wij wachten op uw consultatie op elk moment.

Materiaalgegevens van SGL 6510 grafiet