Producten
AMAT 0200-03201 CVD SiC Wafer-hefpen
  • AMAT 0200-03201 CVD SiC Wafer-hefpenAMAT 0200-03201 CVD SiC Wafer-hefpen

AMAT 0200-03201 CVD SiC Wafer-hefpen

Deze AMAT 0200-03201 Wafer Lift Pin van VeTek begint met zeer zuiver grafiet, daarna voegen we er een dichte CVD SiC-coating aan toe. Het is gemaakt voor epitaxiesystemen van 300 mm en EPI-reactoren van Applied Materials. Waarom grafiet en SiC? Grafiet kan heel goed met warmte omgaan. De SiC-laag neemt corrosieve gassen op en slijt niet snel. Het dunne wandontwerp? Dat zorgt voor schoner tillen en positioneren van de wafer, minder deeltjes en een langere levensduur van de onderdelen bij hoge temperaturen. We maken ook soortgelijke SiC-gecoate grafietonderdelen voor ASM-, Aixtron- en LPE-systemen. Ik kijk uit naar uw aanvraag.

Producteigenschappen

 ● Zeer zuivere grafietkern + CVD SiC-coating – gebouwd voor echte halfgeleiderproductie.

 ● Kan epitaxieruns bij hoge temperaturen aan zonder de mechanische stabiliteit cyclus na cyclus te verliezen.

 ● De dunne wandvorm vermindert de thermische massa en verbetert de precisie bij het hanteren van wafers.

 ● De SiC-laag is bestand tegen agressieve procesgassen en chemische reiniging.

 ● Een gladde, uniforme coating betekent minder deeltjesverlies en een stabielere verwerking. We hanteren nauwe toleranties bij CNC-bewerking voor kritische halfgeleideronderdelen.


CVD-SIC-FILM-CRYSTAL-STRUCTURE

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom
Typische waarde
Kristalstructuur
FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
CVD SiC-coating Dichtheid
3,21 g/cm³
SiC-coating Hardheid
2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte
2~10μm
Chemische zuiverheid
99,99995%
Warmtecapaciteit
640 J·kg-1·K-1
Sublimatie temperatuur
2700℃
Buigsterkte
415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus
430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Thermische geleidbaarheid
300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)
4,5 × 10-6K-1


Toepassingen

 ● Siliciumepitaxie (Si EPI) – het optillen, positioneren en verplaatsen van wafers in reactoren van 300 mm.

 ● Algemene verwerking van halfgeleiderwafels waarbij hittestabiliteit, corrosiebestendigheid, een laag deeltjesgehalte en een lange levensduur van de onderdelen nodig zijn.

 ● AMAT-epitaxiekamers en compatibele systemen voor het hanteren van wafers.


Waarom kiezen voor VeTek Semiconductor

 ● Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet dat bedoeld is voor gebruik in halfgeleiders.

 ● Thermische stabiliteit en chemische bestendigheid zijn beide solide.

 ● Houd de toleranties strak: precisiebewerking is ons ding.

 ● Compatibel met AMAT, ASM, Aixtron en LPE.

Vetek Semiconductor products shop

Hottags: AMAT 0200-03201 CVD SiC Wafer-hefpen
Stuur onderzoek
Contact informatie
Voor vragen over siliciumcarbidecoating, tantaalcarbidecoating, speciaal grafiet of een prijslijst kunt u uw e-mailadres achterlaten en wij nemen binnen 24 uur contact met u op.
X
We gebruiken cookies om u een betere browse-ervaring te bieden, het siteverkeer te analyseren en de inhoud te personaliseren. Door deze site te gebruiken, gaat u akkoord met ons gebruik van cookies.Privacybeleid
AfwijzenAccepteren